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TS波通过非线性粗糙元辐射噪声的研究
第八届全国流体力学学术会议
2014年9月18~21日 甘肃兰州
文章编号: CSTAM2014-B01-0011
标题:T-S波通过非线性粗糙元辐射噪声的研究
作者:董明,吴雪松
单位:天津大学力学系
帝国理工学院数学系
Copyright ? 2014 版权所有 中国力学学会地址: 北京市北四环西路15号 邮政编码:100190 Address: No.15 Beisihuanxi Road, Beijing 10
董明*,2),吴雪松*,+
*(天津大学力学系,天津 300072)另外若考虑流动的可压缩性,T-S会在被散射的同时向远场辐射噪声。这一问题传统的计算方法是,把用DNS(或其它数值方法)得到近壁流场做为声源,再用声比拟理论计算远场噪声[9],但是该方法并未考虑声场对近壁流场的影响。一个改进的方法是通过出流边界条件确保声波不在计算域内反射[10],但这需要足够大的计算域,计算量非常大,且结果的可靠性也有待验证。因而,从理论上建立近壁剪切流与远场噪声的直接联系是十分必要的,本文提出的局部散射框架恰可从理论上解决这一问题。
1 局部散射理论
1.1 三层结构尺度
设一个局部粗糙元距离平板前缘,来流速度、声速与粘性系数分别为,定义雷诺数与马赫数分别为与。本文研究工况,。
在三层结构公式体系下,引入小参数
, (1)
则底层(图1中的Lower deck)坐标与物理量可无量纲化为
(2)
其中,上标‘*’与下标‘’分别表示有量纲和无穷远的物理量;表示Blasius解的壁面剪切率;,表示壁面温度;Chapman粘性律被使用。
对于光滑壁情况,定常基本流满足Blasius剖面,近似为
. (3)
对于有粗糙元的线性扰动情况,瞬时流场可分解为平均场与脉动场的叠加,
(4)
为使计算网格为矩形,引入Prandtl变换
, (5)
其中坐标与正交。则法向速度变换为
. (6)
1.2 控制方程与法向边界条件
基本流的控制方程见Smith[11]。脉动场的控制方程为
, (7)
. (8)
法向边界条件为
, at ; (9)
, as , (10)
其中为三层结构方程中的位移函数,其值与T-S波的幅值相同。
1.3 流向边界条件
若不考虑噪声辐射,在距离粗糙元足够远的上下游位置,扰动为原始T-S波,其色散关系及特征函数的求法见Smith[12]。所以,在所选计算域的入口及出口处,扰动剖面首阶相同,只是幅值不同。若壁面是光滑的,出口与入口幅值之比可用线性稳定性理论预测。但若壁面存在粗糙元,则要引入一个参量来定量地反映粗糙元的影响。
若不考虑噪声辐射,设粗糙元上游远场T-S波的幅值为
下游远场T-S波的幅值为
则定义传递系数为
, (11)
它反映粗糙元下游T-S波的幅值与上游幅值之比,从而计算域入口与出口扰动满足周期边界条件
, (12)
其中表示流场中的任意物理量,下标‘’与‘’分别表示出口与入口,表示计算域的流向长度。
若考虑噪声辐射,则在上下游的远场除了有T-S波外,还存在由声波激发的Stokes剪切层,从而有
其中。在上游远场,随着,不稳定T-S波的幅值指数衰减,而Stokes层的幅值代数衰减,因而两个扰动都需要考虑;在下游远场,随着,T-S指数增长,而Stokes层仍然代数衰减,故后者影响可忽略。因而,周期条件(12)要修正为
, (13)
其中代表Stokes层的解,
, (14)
是T-S波在计算域入口处激发Stokes层的幅值,其计算方法将在1.6节介绍。
1.4 压力-位移函数的关系
通过主层(图1中的Main deck)的中间作用,把底层(图1中的Lower deck)的压力和法向速度匹配顶层(图1中的Upper deck)物理量,则得到压力-位移函数关系(P-A law)。Smith[11]在忽略压缩性(即声波辐射)的情况下,给出P-A law如下,
. (15)
但是,数值上,该公式只适用于对中性T-S波的计算。因为对于不稳定的T-S波,指数增长,该积分数值上是发散的。本文通过引入传递系数,解决了该数值计算问题。新的P-A law可表示成
(16)
若考虑噪声辐射,在P-A law (15)的被积函数需要进一步被修正。如图1所示,顶层的流向与法向尺度均为,而辐射声场的长度尺度为,故在顶层需要考虑二阶近似。顶层的控制方程为Helmholtz方程,
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