由于二次电光效应.ppt

可见，当晶体沿 x1 方向加单向应力时，折射率椭球由旋转球变成了椭球，主轴仍为 x1 、x2、x3 ，立方晶体变成双轴晶体，相应的三个主折射率为： (2) 43m、432和m3m立方晶体受到平行于立方体轴 (例如x1方向)的单向应力作用 这种情况与上述情况基本相同，只是由于这类晶体的Π12=Π13，所以： 即晶体由光学各向同性变成了单轴晶体。 5.1.3 晶体的二次电光效应 可以存在于所有电介质(固体、液体和气体)中，某些极性液体(如硝基苯)和铁电晶体的克尔效应很大。 所有晶体都具有二次电光效应。但是在无对称中心的20 类晶体中，线性电光效应比二次电光效应显著的多，所以这类晶体的二次电光效应一般不予考虑。 在具有对称中心的晶体中，最低阶的电光效应就是二次电光效应，我们感兴趣的是属于立方晶系的那些晶体的二次电光效应。因为这些晶体在未加电场时，在光学上是各向同性的，这一点在应用上很重要。 如前所述，二次电光效应的一般表达式为： ?Bij = hijpqEpEq i, j, p, q =1, 2, 3 Ep、Eq是外加电场分量；[hijpq]是晶体的二次电光系数(或克尔系数)，是四阶张量。 1. 晶体二次电光效应的理论描述 其中，Pp,Pq是晶体上外加电场后的极化强度分量，[gijpq]也叫二次电光系数，一般手册给出的是 [gijpq]。 可以证明，[hijpq]和[gijpq]都是对称的四阶张量，均可采用简化下标表示，即 ij→ m , pq→ n , m、n的取值范围是从 1 到 6。于是， 四阶张量的克尔系数可以从九行九列的方阵简化成六行六列的方阵。 人们习惯于将[?Bij]与晶体的极化强度联系起来，表示为： ?Bij = gijpqPpPq i, j, p, q = 1, 2, 3 且当 n =1, 2, 3 时 当 n =4, 5, 6 时， 简化表达式： （5.1-73） （5.1-74） 2. m3m晶类的二次电光效应 属于m3m晶体的有KTN(钽酸铌钾)，TaO3(钽酸)，BaTiO3(钛酸钡)，NaCl(氯化钠)，LiCl(氯化锂), LiF(氟化锂)，NaF(氟化钠)等。 未加电场时，这些晶体在光学上是各向同性的，折射率椭球为旋转球面： 当晶体外加电场时，折射率椭球发生变化，其二次电光效应可表示为： 由此得： 将上面分量代入折射率椭球的一般形式，即可得到： （5.1-79） 讨论一种简单的情况：外电场沿 x3 轴 [011] 方向作用于晶体，即E1= E2= 0 , E3= E 。 立方晶体的电场与极化强度间的关系为： Pi = ?0 ? Ei i = 1, 2, 3 所以P1 = P2= 0 ， P3= ?0 ? E ，则 显然，当沿 x3 方向外加电场时，由于二次电光效应，折射率椭球由球变成一个旋转椭球，其主折射率为： 当光沿 x3 方向传播时无双折射现象发生；当光沿 x1 方向( [100]方向)传播时，通过晶体产生的电光延迟为： 相应的半波电压： 5.1.4 晶体电光效应的应用 在外电场的作用下电光晶体相当于一个受电压控制的波片，改变外电场，便可改变相应的二特许线偏振光的电光延迟，从而改变输出光的偏振状态。正是由于这种偏振状态的可控性，其在光电子技术中获得了广泛应用。 1. 电光调制 光调制技术——将信息电压(调制电压)加载到光波上的技术。 电光调制 —— 利用电光效应实现的调制。 典型的电光强度调制器 电光晶体(如KDP)放在一对正交偏振器之间，对晶体实行纵向运用，则加电场后的晶体感应主轴 x1?、x2? 相对晶轴 x1、x2 方向旋转 45?，并与起偏器的偏振轴 P1 成 45? 夹角。 由正交偏振器偏光干涉，当 晶片? = 45? 时，通过检偏器输出的光强 I 与通过起偏器输入的光强 I0 之比为 ： 光路中未插入1/4 波片时，上式的 ? 是晶体的电光延迟。由 (5.1-31) 、(5.1-32) 有： 则： ——为光强透过率(%) 则透过率为： 该式说明，一般的输出调制信号不是正弦信号，它们发生了畸变。 如果外加电压是正弦信号： 在光路中插入 1/4 波片，则光通过调制器后的总相位差是 ( ?/2+? )，因此，通过检偏器输出的光强 I