超大规模集成电路技术基础（2修改第二次.pptVIP

黄君凯 教授 2.2.1 单晶硅棒中掺杂浓度 的分布 定义 （1）多晶硅棒中初始掺杂浓度为 ，则： （2）单晶硅棒中掺杂浓度为 ，则： （3）熔区中掺杂浓度为 ，则： 2.2 硅悬浮区熔法 图2-9 悬浮区熔法 黄君凯 教授 设硅比重为 ，晶棒截面为 ， 处熔区长度为 ，当熔区从尾向顶端移动 距离时，熔区中掺杂杂质数量的改变 为： 图2-10 杂质分布模型 多晶硅中 单晶硅中 多晶硅中 单晶硅中 黄君凯 教授 当 ，对上式两边积分： 解出： （2-9） 这里，注意到在初始熔区（射频线圈刚处于晶棒尾端）多晶硅棒的掺杂杂质数量 ，而任一熔区中有 ，代入上式：