压电功能题稿.ppt

第六章 压电陶瓷材料及应用 一、概述 在1880年，居里兄弟首先在单晶上发现压电效应。 在1940年前，人们知道有两类铁电体：罗息盐和磷酸二氢钾盐，具有压电性。 在1940年后，发现了BaTiO3是一种铁电体，具有强的压电效应。是压电材料发展的一个飞跃。 在1950年后，发现了压电PZT体系，具有非常强和稳定的压电效应，具有重大实际意义的进展。 在1970年后，添加不同添加剂的二元系PZT陶瓷具有优良的性能，已经用来制造滤波器、换能器、变压器等。 随着电子工业的发展，对压电材料与器件的要求就越来越高了，二元系PZT已经满足不了使用要求，于是研究和开发性能更加优越的三元、四元甚至五元压电材料。 第六章 压电陶瓷材料及应用 二、压电效应 压电效应产生的根源是晶体中离子电荷的位移，当不存在应变时电荷在晶格位置上分布是对称的，所以其内部电场为零。 但当给晶体施加应力则电荷发生位移，如果电荷分布不在保持对称就会出现净极化，并将伴随产生一个电场，这个电场就表现为压电效应。 第六章 压电陶瓷材料 它是压电介质把机械能（或电能）转换为电能（或机械能）的比例常数，反映了应力（T）、应变（S）、电场（E）或电位移（D）之间的联系，直接反映了材料机电性能的耦合关系和压电效应的强弱，从而引出了压电方程。常见的压电常数有四种：dij、gij、 eij、 hij。 第六章 压电陶瓷材料及应用 它是压电材料进行机-电能量转换的能力反映。它与材料的压电常数、介电常数和弹性常数等参数有关，是一个比较综合性的参数。其值总是小于1。 第六章 压电陶瓷材料 四、压电陶瓷材料主要参数的确定 材料参数Kp、Qm、d33、ε33和tgδ的确定 需采用薄圆片的径向振动模式，要求薄圆片的直径比厚度大得多，其比值大于10。极化方向与厚度方向平行，电极面与厚度方向垂直，片子是均匀的正圆形。 如果薄圆片的Δf值较小时，可用下式直接计算： 当σ=0.27时，Kp2≌2.51Δf/fs 当σ=0.30时，Kp2≌2.53Δf/fs 当σ=0.36时，Kp≌2.55Δf/fs 第六章 压电陶瓷 Qm=1/4ΠR1CΔf×1012 ε33=4Ctlt/ΠΦ Ct是薄圆片的低频电容(法拉),可在1KC频率下由电容电桥测出,lt为薄圆片的厚度(米), Φ为薄圆片的直径(米), ε33为自由介电常数(法拉/米)。 tgδ用电容电桥或万用电桥等测出。 d33用准静态测试仪测定。 六、压电陶瓷材料 不同的应用范围对压电陶瓷材料有不同的性能要求。 1、钙钛矿型压电陶瓷材料 化学通式是ABO3，A为半径较大的正离子，可以是+1、+2、+3价；B为半径较小的正离子，可以是+3、+4、+5、+6。 其中A、B、O三种离子的离子半径满足下列关系时，才能组成ABO3结构： RA+RO=t√2（RB+RO） t是容忍因子，一般在0.86~1.03之间均可组成钙钛矿结构。 六、 压电陶瓷材料 典型的配方: (1)0.99[PbTiO3+0.04La2/3TiO3]+0.01MnO2 预烧温度为850℃，保温2小时。烧成温度为1240℃，保温1小时。 ε=240，Kp=0.096,Qm=1050,Nt=2120 (2）高频（30M-100MC）滤波器用瓷料 PbTiO3+1wt%MnO2+1wt%Pb3O4 ε=150，Kp=0.40,Qm=800~1000,温度和时间稳定性较好。 3PbTiO3+3.0wt%CeO2++0.3MnO2+2.53wt%Nb2O5 ε=230，Qm=1000 其原因是它们的加入导致形成Pb2+缺位。如每两个La3+置换3个Pb2+，为了维持电价平衡，使得在钙钛矿结构中A位置上的阳离子数减少，便产生一个A空位。由于Pb2+缺位的出现，使得电畴运动变得容易进行，甚至很小的电场强度或机械应力便可以使畴壁发生移动。结果出现出介电常数、弹性柔顺系数的增加，同时介电损耗和机械损耗增加，Qm降低。又由于畴的转向容易，使得沿电场方向取向的畴的数目增加，从而增加极化强度，使得压电效应大大增加，表现为Kp值的上升。由于畴的转向阻力变小，所以用以克服阻力使极化反向的矫顽场很小，回线近于矩形。又由于Pb2+缺位的存在，缓冲了90畴转向造成的内应力，使得剩余应变变小。或者说，由于畴壁容易运动，使