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半导体器件 【绪】 半导体器件的优点与应用 优点：体积小、功耗小、能量转换效率高； 应用：作为电子电路的基本单元广泛应用于测量、识别、控制等仪器设备。 2．半导体器件的种类：二极管、三极管、场效应管和晶闸管等。 3．半导体器件用材及其制作工艺 用半导体材料经过特殊工艺制成。 什么是半导体？ 自然界中的物质按其导电能力差异分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的导电力介于导体与绝缘体之间，在热激发、磁场的影响下，半导体的导电力明显增强而接近于导体。 1.1半导体的基础知识 1．半导体材料种类及其不同应用 （1）种类：硅、锗以及大多数金属氧化物和硫化物。 （2）不同应用： 1）用作热敏元件。如：钴、锰、镍的氧化物，它们对温度的反应特别灵敏。可制成测温元件。 2）用作光敏元件。如：镉、铅的硫化物和硒化物，它们的导电能力受光照而变强，无光照时就像绝缘体一样。可制成发光或光电元件。 3）用作半导体器件——二极管、三极管、场效应管和晶闸管等。如：硅、锗等纯净半导体，它们的导电能力一方面受温度的影响；另一方面，若在这些半导体中掺入其它一些特殊的微量元素——杂质后，它们的导电能力可增加几十万、几百万倍，根据这一点，可制成二极管、三极管、场效应管和晶闸管等半导体器件。 2．半导体的内部结构与导电机理 半导体分本征半导体和杂质半导体。 （1）本征半导体及其导电特性 本征半导体：由纯净的硅、锗四价元素构成。 1）四价元素的原子结构 2）本征半导 体的结构（晶体结构） 3）半导体的载流子（导电粒子）和导电特性 ①在常温下，本征半导体几乎不导电。因为价电子被束缚在共价键上，几乎没有价电子能挣脱共价键的束缚而成为导电粒子，半导体的导电能力较差。 ②在热激发下（加温或光照），导电能力大大增强。 热激发下，少数价电子获得能量而挣脱共价键的束缚而成为自由电子，在原共价键上留下空位，称之为空穴。自由电子和空穴称为半导体的两种载流子。温度越高，晶体中的自由电子、空穴的数量就越多，半导体的导电能力就越强（故温度对半导体器件性能影响很大）。 4）半导体电流的形成 在外电场的作用下，有空穴的原子可吸引相邻原子共价键上的价电子来填补此空穴，而失去价电子的相邻原子的共价键上则留下空穴，它又可吸引别的原子的价电子，如此继续下去，就好象空穴在移动。空穴的移动方向与电子相反，相当于正电荷在移动，故空穴带正电。空穴的移动和自由电子的移动形成了半导体的电流。 本征半导体的导电能力的加强靠热激发是不现实的、不合理的，因此本征半导体不能制作实用的半导体器件。 杂质半导体——N型和P型半导体 在纯净半导体中掺入少量五价或三价元素后，半导体的导电能力大大增强，这就是杂质半导体的优势。 1）N型半导体 在硅或锗中掺入少量五价元素（如磷元素），构成N型半导体。 在N型半导体中：多子（多数载流子）是自由电子，主要由掺杂浓度决定；少子（少数载流子）是空穴，主要由温度决定。 因是带负电的自由电子导电为主导，故称为N型半导体 P型半导体 在中掺入少量三价元素（如硼元素）构成P型半导体。 在P型半导体中： 多子是空穴，主要由掺杂浓度决定； 少子是自由电子，主要由温度决定。 因是带正电的空穴导电为主导，故称为P型半导体。 3． PN结形成 （1）多子扩散 因交界面的多子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散，多子复合消失，在交界面形成不能移动的离子区（也称空间电荷区、耗尽层）；因交界面电势差，故形成内电场（如上图）。内电场不利于（阻碍）多子继续扩散，故又称为阻挡层。 （2）少子漂移 少子在内电场的作用下越过交界面，向对方区域运动称之为漂移。 （3）PN结的形成 多子扩散越强，空间电荷区就越宽，内电场就越强，不利于多子继续扩散，但有利于少子漂移； 少子漂移运动越多，空间电荷区就越窄，内电场就越弱，不利于少子漂移，但有利于多子扩散。 当外加条件一定时，扩散运动与漂移运动就处于动态平衡，即当多子扩散电流=少子漂移电流时，空间电荷区宽度即内电场强度处于一个稳定状态，PN结就在交界面形成了。 PN结的单向导电性 （1）PN结正向偏置时（P接电源+极，N接电源—极）正向偏置时，PN结呈现低阻性，流过的正向电流IF大 称PN结处于导通状态。 （2）PN结反向偏置时 PN结的结电容 1.2 二极管 1.二极管的基本结构、 类型和电气符号 （1）．基本结构 （2）．类型 1）按结构分：分为点接触型和面接触型。 点接触型通过电流较小；面接触型通过电流较大。 2）按材料分：分为硅管和锗管。一般情况下，面接触型为硅管，点接触型为锗管