pn二极体简介.doc

太陽能電池 微電能實驗室 一.實驗目的： 利用PN JUCTION照光後，測量其I-V的變化，畫出I-V曲線圖，證明太陽能電池照光後其電流、電壓確實產生變化，達到發電的效果。 二.實驗原理： 在電子電路中使用的二極體(diode)種類很多，我們主要先介紹pn 接面二極體的原理、特性，以及他的基本應用，在最後再介紹一些特殊二極體和他們如何應用在太陽能電池上。 1. pn 接面二極體（pn junction） pn 接面可以簡單的想成一p 型半導體和一n 型半導體接在一起所形成，在兩端再各以一金屬電極(稱為歐姆接點)連結外界電路，如圖1。形成的方法有很多，例如可以在一p 型半導體基板上一磊晶方式成長一n 型半導體，或在一p型半導體基板上先置一n 型的雜質源，然後加熱，n 型雜質即擴散入基板表面，形成pn 接面。 pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向n 型半導體中擴散，在n 型半導體中的電子會向p 型半導體中擴散，如圖2(a)所示。由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶正電，p 型半導體中會帶負電。電洞進入n 型區，或電子進入p 型區都會產生復合，電子電洞同時消失，半導體中就只剩下帶電的摻雜離子，在p 型半導體中是帶負電的受子離子，在n 型半導體中是帶正電的施子離子，兩者的帶電量大小是相同的，如圖2(b)所示。這兩個帶電的離子區會集中在接面的兩側，如此可使系統的電位能降到最低。這時，帶電離子在接面附近產生一電場，所導致的漂移電子流（電洞流），方向都和擴散電子流（電洞流）相反。圖2(c)顯示電子和電洞不同種類電流的方向。到達平衡時，在任一位置的漂移和擴散電子流（電洞流）完全抵銷，總電子流和總電洞流均為零。 平衡後，pn 接面大致上可以分為三個區域，如圖3(a)所示，包括維持電中性的p 型區與n 型區，以及有電場分布的離子區。圖3(b)顯示出對應各區的電子與電洞濃度分布的示意圖。在p 型中性區中電洞濃度最大，電子濃度最小；在n型中性區中電子濃度最大，電洞濃度最小；在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做空乏區(depletion region)。圖3(c)是接面附近的帶電電荷密度分布圖，這裡假設了:(1)在pn 接面附近的p 型及n 型雜質摻雜濃度是均勻的，(2)在空乏區中的載體濃度完全忽略。圖3(d)是對應的電場分布圖，圖中顯示空乏區電場的值都是負的，表示電場方向都是由n 型區中的施子離子指向p 型區中的受子離子，實際的電場分布可以利用高斯定律求出。由電場分布，我們可以很容易看出電位的分布形式，如圖3(e)，p 型區的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-inpotential) Vbi。對電洞而言，他的電位能在p 型中性區最低，故電洞大部分分布於此區，電洞要由n 型區進入p 型中性區，必須克服一個大小為qVbi 的位能障礙(potential barrier)；同樣地，電子大多分佈在電子電位能最低的n 型中性區中，要進入p 型區一樣要克服qVbi 的位能障礙。圖3(f)中很清楚顯示了電子與電洞分別看到不同的電位能曲線，這裡主要的原因來自他們所帶電荷符號不同。 2.pn接面二極體的電流-電壓特性 圖3 pn 二極體達成平衡時之空乏區位置(a)、各區的載體濃度分布(b)、接面附近的帶電電荷密度分布(c)、電場分布(d)、電位的分布(e)、及電子與電洞分別看到的電位能曲線(f)。 3.光偵測器 半導體用作光偵測器一般有兩種方式：一是利用他的光導電度，稱為光導體(photoconductor) ；另一種是利用二極體的結構，稱為光二極體(photodiode)。前一種方式只是利用材料在照光時導電度的改變，當光的強度很小時，導電度變化很小，效果不好，而且對光量的定量分析也不是很準；對於後一種方式，當能量大於材料能障Eg 的光子照射到二極體的空乏區時，所產生之電子電洞對由於受到的電力相反，致使電子電洞分開，個別進入n 型及p 型中性區，如圖4-1，形成光電流，外界再接一個電流放大器即可準確的測量光電流，光電流得大小和吸收的光子數目成正比。光二極體偵測器的靈敏度遠較光導體偵測器高。 圖4-1 光二極體偵測器的原理示意圖 4.太陽能電池 當光二極體面積很大時，照光後產生之光電流也很大，可以當作電源使用，稱為太陽能電池(solar cell)。太陽能電池的發電能力和他的面積成正比，但一般利用半導體晶片製作的大面積元件成本過高，只有在特殊場合，例如在人造衛星上，才使用得到。而日常所用的太陽能電池，則是以玻璃做基板，先鍍上一層透明的導電膜（