2.光电基础.pptVIP

光生伏特效应 光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。 PN结 qUD=EFN-EFP UD=(EFN-EFP)/q= 光照下的P-N结－－光电效应 光照下的P-N结－－电流方程 I=I0eqU/KT - ( I0 + Ip ) 令Ip=S E，则 I=I0eqU/KT - ( I0+S E ) 光照下的P-N结－－开路电压 0=I0 e qU/KT - ( I0+S E ) Uoc=( KT/q ) ln ( S E+I0 )/ I0 ≈( KT/q ) ln (S E/I0 ) I=I0eqU/KT - ( I0+S E ) 光照下的P-N结－－短路电流 U=0时的I值，得Isc=SE Uoc与Isc是光照下P-N结的两个重要参数，在一定温度下，Uoc与光照度E成对数关系，但最大值不超过接触电势差UD。弱光照下，Isc与E有线性关系。 不同状态下P-N结的能带图 a)无光照时热平衡态，NP型半导体有统一的费米能级，势垒高度为qUD=EFN-EFP。 b)稳定光照下P-N结外电路开路，由于光生载流子积累而出现光生电压Uoc不再有统一费米能级，势垒高度为q(UD-Uoc)。 c)稳定光照下P-N结外电路短路，P-N结两端无光生电压，势垒高度为qUD，光生电子空穴对被内建电场分离后