集成电路工艺简介试题.ppt

主要内容 1、电路和集成电路 2、半导体材料及其特性 3、半导体芯片制作 4、半导体芯片制作工艺 A 氧化、扩散 B 光刻 C 金属化（布线） D 钝化 1、电路和集成电路 1、电路和集成电路 2、半导体材料及其特性 导体:容易导电的物体，叫导体。如：各种金属，酸碱 盐的水溶液，大地，人体等。 绝缘体:不容易导电的物体，叫绝缘体。如：玻璃，陶瓷，橡胶，塑料等。 半导体电导率介于金属与绝缘体之间的材料，叫半导体。 2、半导体材料及其特性 纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感，可以通过掺杂改变其导电性。 杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。 N型半导体和P型半导体结合形成PN结。 2、半导体材料及其特性 PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 3、半导体芯片制作 4、半导体芯片制作工艺 A 氧化、扩散 B 光刻 C 金属化（布线） D 钝化 热氧化的基本装置 离子注入 离子注入是把具有一定能量的带电粒子掺入到硅等衬底中。典型的离子能量是30~300keV，典型的注入剂量是1011~1016离子数