电动汽车结构原理与故障诊断教学课件ppt作者陈黎明混合动力与电动汽车25课件.ppt

3、散热器 单面冷却的构成在绝缘板上面配置功率半导体元件。热量通过绝缘板，传到散热板，由冷却器散热 3、散热器 新型双面冷却的构成冷却功率半导体的两侧。为提高热传导，在功率半导体旁边依次配置散热板、绝缘板、冷却器 二、控制器线路原理 主回路 IGBT驱动回路 二、控制器线路原理 工作电源 二、控制器线路原理 母线电压检测 二、控制器线路原理 温度检测回路 二、控制器线路原理 换挡信号检测 二、控制器线路原理 二、控制器线路原理 旋转变压器检测回路 第二章 电动汽车的主要部件及工作原理 2.3 电动汽车驱动控制器 2.3 电动汽车驱动控制器 　一、控制器结构及主要元件 　一、控制器结构及主要元件 　一、控制器结构及主要元件 1、DSP控制器 TMS320 F28335 2、功率器件及驱动电路 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(功率MOSFET) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 智能功率模块（IPM） ) 1.金属-氧化物-半导体场效应晶体管(功率MOSFET (1)MOSFET的结构　 功率MOSFET是用半导体的场效应制作的功率晶体(2)MOSFET的开关特性 　在电动汽车的电驱动系统中，MOSFET的开关特性应用最多。 图5-73　典型平面N沟道增强型场效应管 MOSFET的结构 一种N沟道增强型功率MOSFET的结构图 MOSFET的结构 图5-76　加入快速恢复二极管 MOSFET的结构 　NMOS管构成的开关电路及其等效电路 MOSFET的特性 　NMOS管组成的电路及其动态特性 MOSFET的特性 IGBT的结构　 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两方面的优点。 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的结构 IGBT的内部结构剖面示意图、简化等效电路、电气符号a)内部结构剖面示意图　b)简化等效电路　c)电气符号 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的静态特性　 　IGBT的转移特性和输出特性a)转移特性　b)输出特性 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT的动态特性　 　IGBT的动态特性 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) IGBT驱动 既可以采用分离器件设计，也可以采用专用电路 IGBT驱动 既可以自行设计，也可以采用专用电路 智能功率模块（IPM） IPM是Intelligent.Power Module的缩写，是一种先进的功率开关器件，兼有GTR(大IGBT)高电流密度、低饱和电压和高耐压的优点，以及MOSFET(场效应晶体管)高输人阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。 IPM等于IGBT十驱动+保护(过流、短路、超温、欠压)+制动，IPM中的每个功牵组件都设置有各自独立的驱动电路和多种保护电路，能够实现过电流、短路电流、控制电压降低及过热保护等功能。一旦发生负载事故或使用不当等异常情况，模块内部即以最快的速度进行保护，同时将保护信号送给外部CPU进行第二次保护。 智能功率模块（IPM） 智能功率模块（IPM） IPM的功能框图 智能功率模块（IPM） 3、散热器 PCU（功率控制单元）主体由控制底板电路、双面散热的功率半导体元件、层叠型冷却器及电容器等构成。PCU内的功率半导体从两面进行冷却。过去采用的是单面冷却。