第3章 光探测器概要.ppt

第三章 光探测器 3.1 半导体对光的吸收 3.1 半导体对光的吸收 3.1.1 物质对光吸收的一般规律 光波入射到物质表面上，用透射法测定光通量的衰减时，发现通过路程dx的光通量变化dΦ与入射的光通量Φ和路程dx的乘积成正比，即 3.1.2 半导体对光的吸收 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 2.杂质吸收 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 3. 激子吸收 4. 自由载流子吸收 5. 晶格吸收 3.2 半导体光电效应 光电导器件 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。 光敏电阻具有体积小，坚固耐用，价格低廉，光谱响应范围宽等优点。广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。 光敏电阻的原理与结构 1. 光敏电阻的基本原理 2. 光敏电阻的基本结构 3. 典型光敏电阻 2） PbS光敏电阻 3） InSb光敏电阻 4） Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 碲[ti:] 4 .光敏电阻的光电特性 爱因斯坦： 我每天上百次地提醒自己：我的精神生活和物质生活都依靠着别人(包括生者和死者)的劳动，我必须尽力以同样的分量来报偿我所领受了的和至今还在领受着的东西。我强烈地向往着俭朴生活，并且时常为发觉自己占有了同胞的过多劳动而难以忍受。我也相信，简单淳朴的生活，无论在身体上，还是精神上，对每个人都是有益的。 （2）在强辐射的作用下，Δnni，Δppi （1-79）式可以简化为 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 （1-86） 式中， 为强辐射作用下载流子的平均寿命。 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为 抛物线关系。 进行微分得 在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关而且与入射辐射量有关，是非线性的。 1、弱辐射时：电导与入射辐射通量Φe,λ成线性关系。 半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg ： 光电导灵敏度与光电导材料两电极间的长度 l 的平方成反比。 2、强辐射时：电导与入射辐射通量Φe,λ成非线性关系。 不仅与材料的性质有关而且与入射辐射量有关，是非线性的。 图2-1所示为光敏电阻的原理图与光敏电阻的符号，在均匀的具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极便构成光敏电阻。 当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压Ubb（如图2-1所示的电路）后，便有电流Ip流过，用检流计可以检测到该电流。 在第1章1.5.1节讨论光电导效应时我们发现，光敏电阻在微弱辐射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的平方成反比，参见（1-85）式；在强辐射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的二分之三次方成反比，参见（1-88）式；都与两电极间距离l有关。 根据光敏电阻的设计原则可以设计出如图2-2所示的3种基本结构，图2-2（a）所示光敏面为梳形的结构。 1）CdS光敏电阻 CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻，它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此，被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52μm，CdSe光敏电阻为0.72μm，一般调整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏电阻的峰值响应波长大致控制在0.52~0.72μm范围内。 CdS光敏电阻的光敏面常为如图2-2（b）所示的蛇形光敏面结构。 PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。 PbS光敏电阻在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。 PbS光敏电阻的光谱响应和比探测率等特性与工作温度有关，随着工作温度的降低其峰值响应波长和长波长将向长波方向延伸，且比探测率D*增加。例如，室温下的PbS光敏电阻的光谱响应范围为1~3.5μm，峰值波长为2.4μm，峰值比探测率D*高达1×1011cm·Hz·W-1。当温度降低到（195K）时，光谱响应范围为1~4μm，峰值响应波长移到2.8μm，峰值