2章分立器件特性题稿.pptVIP

(8)在作为双向导电的开关时应选场效应管。 (9)场效应管的参数分散度较大，因此在对管特性匹配上比晶体管差，表现在作为集成运放前置级时所产生的失调电压较高。 (10)在大电流（几十安）运行情况下，应选用VMOS管，还可以多管并联，以通过更大的电流。晶体管在并联时每管应串接平衡电阻，以防止电流分配差异太大，从而增加了损耗。 (11)MOS管由于输入电阻很高，栅极感应电荷不易泄放，可形成很高电压，将绝缘层击穿而损坏，因此，使用时栅极不能开路，保存时各级需短路。 (12)结型场效应管漏极与源极可以互换使用。MOS管若管子内部已将衬底与源极短接，则不能互换，否则漏极与源极是可以互换的。 (13)低频跨导与工作电流有关，越大，也越大。 2.4 可控硅及双向可控硅 2.4.1 原理、符号、特性 可控硅整流器（SCR）是一种二极管。通常，只有在栅极上加一个电流脉冲时才能正向导通。在任何情况下（未被击穿以前）都没有反向电流。实际上，SCR是一种有四层半导体（PNPN）的器件，但只有三根引出线。因为大多数SCR用作电源开关，电流容量很大，可达1—100A或更大，把它装在机壳上，以便散热。断开SCR的方法是将阳极电压反向（对阴极为负值），或者把阳极电压（或电流）降低到低于称为维持电压（或电流）的阈值，以使其电流达到最小。栅极电流只能开启正常的SCR；一旦导通，有失去控制，就不再能用栅极来使其断开。 当接入Ea后，两只管子均承受正向电压，处于放大工作状态，若在G，K间加一个正的触发信号，则对于BG1来说，相当于在它的基极－发射级回路中有一个控制电流Ig流过，也就是BG1基极电流Ib1，经放大后，Ic1=B1Ib1，Ic2= B1B2 Ib1，此电流又流入BG1基极，再次得到放大，这样，依次循环下去，一瞬间就可使BG1和BG2两管全部导通并达到饱和。所以，可控硅加上正向电压后，一输入触发信号，可控硅立即导通，可控硅一经导通后，由于导致BG1基极上总是流过比控制级电流Ig大的多的电流，即使触发信号消失，可控硅仍然导通。只有降低电源电压Ea，使BG1和BG2中集电极电流小于某一维持导通的最小值时，可控硅方能转关断状态。如果把电源电压Ea反接，BG1和BG2均不具备放大条件，即使有触发信号，可控硅也无法工作，处于关断状态。同样在没有输入触发信号或信号极性相反时，即使可控硅加上正向电压，BG1得不到正信号触发，可控硅也无法导通。 普通的SCR要求相当大的栅极控制电流，典型数据为20—100A（对于更大功率的器件来说还要大）。加在栅极上的电流只需很短的时间（约10），所以其栅极驱动器往往设计成一个电流脉冲发生电路。为了适应在交流电的正、负半周都能起控制作用，设计了由两个可控硅并联而且共用一个门极的双向可控硅。三端双向可控硅开关器件（TRIACS）与SCR相似，只是能双向导通。它们都适用于交流应用的场合，例如开关电灯或将电机接在110V（60）的电源线上。尽管三端双向可控硅器件的结构要比SCR复杂得多，但由于其控制电压加在栅极和唯一的阳极（T）之间，所以把它想象为两个背靠背的SCR是合适的。 2.4.2 主要参数 1.正向转折电压UBO：指Ig＝0时，若UAK超过此值，可控硅将导通。 2.正向阻断峰值电压UDRM：是实际应用时为避免出现Ig＝0时管子导通而对所加正向电压峰值的限制，UDRM＝UBO—100V，即裕度为100V。可控硅的UDRM可高达数千伏。 3.方向转折电压U（BR）：UAK的反向电压绝对值超过此值时，管子将导通。与此相应的反向阻断电压URRM亦为UBR—100V。可控硅的URRM和UDRM为同一个数量级，亦可高达数千伏。在用作可控整流时，其工作电压应选此两者中的最低者，并考虑再有一定的裕量。 4.额定正向平均电流IF：和二极管的额定整流电流相同。要注意的是若可控硅的导通时间远小于正弦波的半个周期，即使IF值未超过额定值，但峰值电流将非常大，以致超过管子所能提供的限度。可控硅的IF值可超过1000A。 5.触发电流Ig：指使可控硅能导通所需的门极电流，一般为mA级。 6.正向平均管压降UF： 指在可控硅导通的正弦波半个周期内UAK的平均值，一般在0.4至1.2V之间。 7.维持电流IH：指电流低于此值后，可控硅将关断。IH值从几十毫安到几百毫安，视可控硅电流容量大小而定。 8.正向电压上升率dU/dt：当正向电压上升速率超过此数值时，在Ig＝0的情况下可控硅也要导通，一般为每微秒几十伏。 * 第2章 分立器件的特性 2.1 特殊用途的二极管 2.2 双结型晶体管 2.3 场效应管的特性 2.4 可控硅及双向可控硅 2.1 特殊用途的二极管 2.1.1 半导体分立器件的分类 2.1.2 普通二极管 2.1.3 特殊二极管