集成电路设计第5部分课件.pptVIP

热 氧 化 本章主要内容 氧化层形成的理论基础 氧化层厚度的测量 几种氧化系统 SiO2的作用 硅集成工艺广泛应用的主要原因之一就是在硅表面极易形成氧化层SiO2。 SiO2作为绝缘体被广泛用在有源器件内部、有源器件之间。 热氧化可以生成SiO2氧化层，这种工艺在硅晶圆内部或者界面的缺陷都是最少的。 其他半导体材料难于形成好的氧化层，制造半导体器件。 迪尔-格罗夫氧化模型 干氧氧化：用分子氧而不是水蒸气作氧化剂，反应方程式为 Si（固体）+O2（气体）------SiO2 生长氧化层不需要高温，室温即可以完成氧化。 形成氧化层后，氧分子必须需要穿越氧化层去和硅结合；或者硅原子穿过氧化层来和氧结合-----扩散工艺。 迪尔-格罗夫氧化模型（续） 在SiO2中，硅的扩散率比氧的扩散率小几个数量级。于是反应在Si- SiO2界面进行。 反应界面不和大气接触，不会被杂质污染。 硅在氧化层中占44%。 氧化的连续性 室温条件下只能氧化不超过25?厚度，需要在氧化气氛中加热才能产生连续不断的反应。 定义硅氧化过程中氧的三个流量： 从外部气体进入已生长的氧化层表面的氧流量----J1。 分子氧穿过已生长氧化膜的扩散的氧流量，气体源作为氧源，反应表面做氧漏----J2。 氧与硅反应生成SiO2的氧流量----J3。 平衡条件下：J1=J2=J3。 氧化剂流动示意图 氧化的连续 利用亨利定律： 可以求得氧化界面处的氧浓度： 氧化速率 在干氧工艺中单位面积的SiO2分子数就是氧原子密度数的一半----2.2×1022cm-3，将界面流量除以该值就是氧化速率： 氧化工艺两个重要参数 当氧化层足够厚时： 当氧化层足够薄时： 由此B/A称为线性速率系数、B称为抛物线速率系数。 抛物线速率系数B 湿氧氧化方式 有两种氧化方式：干氧氧化；湿氧氧化。 湿氧氧化： 氧化剂是氧和水的混合物。 氧化速率高，水比氧有更高的扩散率和大得多的溶解度（亨利常数）。 氧化层密度较低。 应用于厚氧化层、不承受重大电应力的场合。 湿氧氧化的线性和抛物线速率系数曲线 干氧氧化方法 氧化剂是氧气。利用干分子氧加少量（1%～3%）卤素。常用的是氯气。 大多数重金属原子和Cl2反应生成挥发性金属氯化物。氯有不断清洗杂质的功效。 利用氯、氧气体生成的杂质少，与硅的界面也好。 氯氧混合气体的氧化速率比在纯氧中高，氧中HCl达到3%，线性速率（B/A）系数将大一倍。 氯气对抛物线速率常数B的影响 氯气对线性速率参数B/A的影响 常用氯源 常用氯源有：HCl、三氯乙烯（TCE）、三氯乙烷（TCA）。 TCE和TCA腐蚀性比HCl 小很多。 TCE可能致癌，TCA在高温下形成光气（ＣＯＣｌ２）——芥子气。 TCA炉内必须有严格的预防措施。 硅的氧化系数 简单氧化 求：１２０分钟内，９２０度水汽氧化过程生长ＳｉＯ２的厚度。初始已有１０００?厚的氧化层。 　　解： 氧化层与温度 氧化速率随着氧化层的变厚而变慢，厚度超过１μｍ的氧化层，需要长时间暴露在高温下，会导致杂质的扩散。 氧化速率取决于抛物线速率系数，即Ｃｇ——氧在气体中的平衡浓度。 增加氧在氧化炉的压强，抛物线系数将增大，可减少生长厚氧化层的时间和温度。 氧化层与温度 初始阶段的氧化 已知线性和抛物线速率系数，迪尔－格罗夫模型在很宽范围与氧化速率吻合。 实际干氧氧化的试验厚度和时间关系，在零时刻曲线不经过零点。甚至不经过自然氧化层厚度。 在氧化层厚度为几百埃处与零时间轴相交。 实际氧化厚度和时间曲线。 SIO２的结构 SIO２被称为熔融石英，是非晶体，1710℃以下热动力学不稳定。 非长程有序，表现短的有序结构。 四个氧原子位于三角形多面体的角上，中心是硅原子。四个氧原子近似共价键合到硅原子，满足硅的化合价外壳。 如果每个氧原子是两个多面体的一部分，则氧的化合价也满足，形成石英晶体。 二氧化硅的物理结构 ＳｉＯ２的结构 熔融石英中一些氧原子——氧桥位，和两个硅原子键合。 一些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。 SIO２由任意方向的多面体网络组成。有氧桥位的部分越大，氧化层黏合力越大，受损伤的倾向越小。 干氧氧化的有氧桥比率远大于湿氧氧化的有氧桥。 ＳｉＯ２的杂质 最常见的杂质是与水有关的化合物。 如果氧化层生长中有水，可能一个氧桥还原为两个氢氧基： 　　　Ｓｉ：Ｏ：Ｓｉ——〉Ｓｉ：Ｏ：Ｈ＋Ｈ：Ｏ：Ｓｉ 氢原子键合很弱，在电应力和离化辐射的情况下断裂，在氧化层中留下陷阱或电荷态。 杂质被掺杂到ＳｉＯ２中改善其物理性能。 取代硅原子的替位型杂质被称为网络构成者，常用硼、磷。 这些杂质倾向于减小有氧桥和无氧