- 1、本文档共156页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第二章 基本放大电路 §2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、性能指标 1. 放大倍数:输出量与输入量之比 4. 通频带 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 一、电路的组成及各元件的作用 二、设置静态工作点的必要性 三、基本共射放大电路的波形分析 四、放大电路的组成原则 静态工作点合适:合适的直流电源、合适的电路(元件)参数。 动态信号能够作用于晶体管的输入回路,在负载上能够获得放大了的动态信号。 对实用放大电路的要求:共地(信号源与直流电源共地,有公共端)、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。 两种实用放大电路: (1)阻容耦合放大电路 两种实用放大电路:(2)直接耦合放大电路 §2.3 放大电路的分析方法 直接耦合放大电路 晶体管直流模型及Q点的估算(P95) 晶体管直流模型及Q点的估算(P95) 晶体管直流模型及Q点的估算(P95) 二、图解法 应实测特性曲线 2. 电压放大倍数的分析 3. 直流负载线与交流负载线 4. 失真分析 截止失真 消除方法:增大Rb,减小Rc,减小β,减小VBB,增大VCC。 讨论:2.基本电路与输出特性Q点如下 2. 晶体管的h参数等效模型(交流等效模型) 在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络,输入回路、输出回路各为一个端口。 在低频、小信号作用下的关系式 h参数的物理意义 简化的h参数等效电路-交流等效模型 阻容耦合共射放大电路的动态分析 讨论一 讨论二:阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析 §2.4 静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 2. 稳定原理 Re 的作用 3. Q 点分析 3. Q 点分析 4. 动态分析 三、稳定静态工作点的方法 引入直流负反馈 温度补偿:利用对温度敏感的元件,在温度变化时直接影响输入回路。 例如,Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数? 讨论一 §2.5 晶体管放大电路的三种接法 一、基本共集放大电路 2. 动态分析:电压放大倍数 2. 动态分析:输入电阻的分析 2. 动态分析:输出电阻的分析 二、基本共基放大电路 2. 动态分析 三、三种接法的比较:空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai β 1+β α Ri 中 大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽 讨论一: 图示电路为哪种基本接法的放大电路?它们的静态工作点有可能稳定吗?求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。 讨论二 讨论二 §2.6 场效应管及其基本放大电路 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 3. 基本共源放大电路的动态分析 4. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 §2.7 派生电路 一、复合管 复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论二 二、派生电路举例:组合的结果带来什么好处? 作业 2.1 2.2 2.3 2.4 2.6 2.9 2.10 2.11 2.13 2.14 2.17 2.18 N沟道耗尽型MOSFET管 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 D G S D G S 结构 耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 判断FET电路的工作区(重点): (a) UGS(off) =-3V -5V 例1:判断JFET工作在什么区? +8V -2V +6V -8V 解:(a) N-JFET,截止区 (b) N-JFET,放大区 (c) P-JFET,放大区 (b) UGS(off) =-5V (c) UGS(of
文档评论(0)