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第二章 基本放大电路 §2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、性能指标 1. 放大倍数：输出量与输入量之比 4. 通频带 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 一、电路的组成及各元件的作用 二、设置静态工作点的必要性 三、基本共射放大电路的波形分析 四、放大电路的组成原则 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路（元件）参数。 动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。 对实用放大电路的要求：共地（信号源与直流电源共地，有公共端）、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。 两种实用放大电路： （1）阻容耦合放大电路 两种实用放大电路：（2）直接耦合放大电路 §2.3 放大电路的分析方法 直接耦合放大电路 晶体管直流模型及Q点的估算（P95） 晶体管直流模型及Q点的估算（P95） 晶体管直流模型及Q点的估算（P95） 二、图解法 应实测特性曲线 2. 电压放大倍数的分析 3. 直流负载线与交流负载线 4. 失真分析 截止失真 消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β，减小VBB，增大VCC。 讨论：2.基本电路与输出特性Q点如下 2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。 在低频、小信号作用下的关系式 h参数的物理意义 简化的h参数等效电路－交流等效模型 阻容耦合共射放大电路的动态分析 讨论一 讨论二：阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析 §2.4 静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 2. 稳定原理 Re 的作用 3. Q 点分析 3. Q 点分析 4. 动态分析 三、稳定静态工作点的方法 引入直流负反馈 温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。 例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数？ 讨论一 §2.5 晶体管放大电路的三种接法 一、基本共集放大电路 2. 动态分析：电压放大倍数 2. 动态分析：输入电阻的分析 2. 动态分析：输出电阻的分析 二、基本共基放大电路 2. 动态分析 三、三种接法的比较：空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai β 1＋β α Ri 中 大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽 讨论一：  图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。 讨论二 讨论二 §2.6 场效应管及其基本放大电路 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 3. 基本共源放大电路的动态分析 4. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 §2.7 派生电路 一、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论二 二、派生电路举例：组合的结果带来什么好处？ 作业 2.1 2.2 2.3 2.4 2.6 2.9 2.10 2.11 2.13 2.14 2.17 2.18 N沟道耗尽型MOSFET管 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 D G S D G S 结构 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 判断FET电路的工作区（重点）: （a） UGS(off) =-3V -5V 例1：判断JFET工作在什么区？ +8V -2V +6V -8V 解：（a） N-JFET，截止区 （b） N-JFET，放大区 （c） P-JFET，放大区 （b） UGS(off) =-5V （c） UGS(of