GBT××××—××××1GBT××××—××××前言本标准代替GBT6617.doc

 前 言 本标准代替GB/T 6617－1995《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》。 本标准与原物标准相比，主要有如下变化： ———引用标准中删去硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法； ———引用标准中增加用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法； ———方法原理中删去单探针和三探针的原理图； ———增加了4 干扰因素； ———测量仪器和环境增加了自动测量仪器的范围和精度； ———对原测量程序进行全面修改； ———删去测量结果计算。 本标准由中国有色金属工业协会提出； 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。 本标准主要起草人： 马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等 。 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 范围 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10～10Ω.cm。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T 14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 SEMI MF525-0705 用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法 方法原理 电学测量原理 扩展电阻法是一种实验比较法。该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻，再用校准曲样线来确定被测试样在探针接触点附近的电阻率。扩展电阻R 是导电金属探针与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。 对于电阻率均匀一致的半导体材料来说，探针与半导体材料接触半径为 a 的扩展电阻用式(1)来表示： ………………………………………… （1） 式中： ρ----- 电阻率，单位为欧姆厘米（Ω﹒cm）； a ----- 接触半径，单位为厘米（cm）； Rs----- 扩展电阻，单位为欧姆（Ω）。 等式成立需符合如下三个假定条件： 两个探针之间的距离必须大于10倍a； 样品电阻率需均匀一致； 不能形成表面保护膜或接触势垒 可采用恒压法，恒流法和对数比较器法， 其电路图分别见图1、图2、图3，具体计算公式分别见公式（2）、公式（3）和公式（4）。 图 1 恒压法电路原理图 …………………………………………… （2） 式中： V-----外加电压，单位为毫伏（mV）； I-----测得的电流，单位为毫安（mA）。 图 2 恒流法电路原理图 ………………………………………………… （3） 式中： V-----测得电压，单位为毫伏（mV）； I-----外加的电流，单位为毫安（mA）。 图 3 对数比较法电路原理图 ………………………………………… （4） 式中： R0-----精密电阻阻值，Ω。 -----对数比较器输出。 干扰因素 如果硅片表面被氟离子沾污或表面有损伤，会造成测试的结果误差。 如果测试环境的温度、光照强度的不同会影响测试结果。 如果测试环境有射频干扰，会影响测试结果。 测量仪器与环境 本标准选用自动测量仪器。 电流范围及精度：10nA~10mA ±0.1％ 电压范围及精度：≤20mV ±0.1％ 测试精度：±5% 机械装置 探针架：采用双探针结构。探针架用作支承探针，使其以重复的速度和预定的压力将探针尖下降至试样表面，并可调节探针的接触点位置。 探针尖采用坚硬耐磨的良好导电材料如锇、碳化钨或钨—钌合金等制成。针尖曲率半径不大于25 μm，夹角30～60o。针距为40-100μm。 样品台：绝缘真空吸盘或其他能将硅片固定的装置，能在互相垂直的两个方向上实现5—500μm步距的位移。 绝缘性，探针之间及任一探针与机座之间的直流绝缘电阻大于1GΩ。 测量环境 测量环境温度为23±3℃,相对温度不大于65%。 在漫射光或黑暗条件下进行测量。 必要时应进行电磁屏蔽。 探针架置于消震台上。 为保证小信号测量条件，应使探针电势不大于20mV。 应避免试样表面上存在OH－和F－离子。如果试样在制备或清洗中使用了含水溶剂或材料，测量前可将试样在140±20℃条件下空气中热处理10～15min。 样品制备 用于测量晶片径向电阻率均匀性的样品制备 应具有良好