CuCu2OBiVO4光催化膜的制备及其可见光催化活性.pdfVIP

CuCu2OBiVO4光催化膜的制备及其可见光催化活性.pdf

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CuCu2OBiVO4光催化膜的制备及其可见光催化活性.pdf

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 谢宝平+1,,何春1,张汉霞1,.,蔡沛祥1,熊亚2’ 1中山大学化学与化工学院;2中山大学环境科学与工程学院; 3南方医科大学药学院; 4东莞市海洋与渔业环境监测站 BiV04作为铁电材料和无毒的环境友好颜料曾被广泛研究,近年来由于 有较高氧化能力,因此其光催化特性引起了人们极大兴趣。然而mBiV04的导带 边位于0 不容易被空气中的氧气捕获,因此会导致光生电子在催化剂表面积累,增加电子 与空穴的复合几率,使mBiV04在可见光下降解有机物的效率较差。因此在这种 情况下快速捕获光激发电子,抑制其与高能空穴的复合,对提高此类光催化剂可 见光催化降解污染物的效率是至关重要的。为了提高BiV04的光催化效率,我们 开展了多方面的研究工作.本文探讨了铜在mBiV04薄膜的沉积及其对它的表面 修饰和光电调控作用。 凝胶制得mBiV04光催化膜是一种多孔的纳米膜,如图1a所示.当光照射浸没在 化学镀液的此mBiV04薄膜时,膜表面出现许多浅红色的微小颗粒,随着光照时 间的延长,膜表面的颜色逐渐加深,变为红色。部分小颗粒生长成立方晶体(图 nnl~650 光谱表明不同含铜量Cu—mBiV04薄膜在350nm波长范围的吸收随含铜量 的提高而增强,并且吸收波长明显向长波长方向移动;光电化学测试结果表明催 粒子表面的金属能在反应中有效地抑制空穴和电子的复合。 究,这些研究采用染料A07作为模型污染物.实验结果表明Cu表面修饰后的光 催化膜降解A07的效率得到明显提高.但此增强效应与Cu的沉积量密切相关. min以(R=0.981 时降解A07的一级动力学常数为0.03634 在光催化剂上的光催化降解速率。以上仅仅是对金属化mBiV04光催薄膜研究的 一个初步结果,更深入研正在进行之中。 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 A B 图1 1 _√k..L”.r ^枘,己~L九i几。一n乏. 一∞_c:—uo一扫一∞c旦c一 6 , ,、 ..J、..。........—√ 、^^ ^^以^^ 30 40 50 60 2-theta(degrees) 图2Cu.Cu20/mBiV04薄膜的XRD和电子衍射图(从内到外的环依次对应: or 1.BiV04(011).2.BiV04(112)or(T12).3.Cu20CuO(1l 1 5.Cu(11).6.BiV04(204)or(024).7.BiV04(132)or(-32)) 参考文献 A ChohS MS.Z 【1】LimR H,Jang Phys.,1995,7(37):7309—7323. S,MakinoS,KudoA,TokumuraK T,NikaidoO, 【2】Kohtani IshigakiY,Matsunaga 1. HayakawaKNakagakiR.Chem.Lett.,2002,(7):660—66 M,Kudo [3]KohtaniS

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