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FeCuNbSiB纳米晶环形磁芯非接触电流传感器原理 鲍丙豪1·2蒋峰1钱昆3 1．江苏大学测控技术与仪器系 镇江212013 2．江苏大学微纳米技术研究中心 镇江212013 3．江苏大学电气学院 摘要：提出了采用单纳米晶环形磁芯双绕组结构，多谐振荡桥励磁，可非接触检测微弱电流的新型 传感器．通过建立理想化的磁滞回线模型，从理论上给出了传感器的工作原理，得到了传感器输出电压 与待测电流间的解析关系．系统地分析了桥路元件参数、绕组参数、桥路电源及磁参数对传感器性能的 影响．为该新型传感器建立的理论与实验结果在传感器的线性量程范围内很好地吻合。该传感器可应用 于电力系统及电气设备微弱漏电流检测． 关键词：纳米晶合金环形磁芯多谐振荡桥非接触电流传感器理想磁滞回线模型 1．引言 电力系统中小电流接地系统接地故障【l卅及电气设备绝缘在线检测技术已成为保证安全发电与供电，及 时发现事故隐患，减少停电检修，提高供电可靠性的重要技术手段。对泄漏电流信息的采集是一项关键技术， 而这种泄漏电流通常在几毫安至数百毫安范围。且由于发电厂、变电所及电气设备现场环境恶劣，噪音干扰 较强，因此强烈要求研制出线性度好、灵敏度高、零漂及温漂小，分辨力高可对静态或动态微弱电流进行在 线非接触测量的传感器。对交流供电系统及交流设备进行检测方法通常用互感器，如罗柯夫斯基圈t¨】，其 灵敏度与互感器绕组匝数成正比，可通过增加感应圈匝数方法提高灵敏度，但该方法会导致导线穿孔面积减 小，互感器体积增大，线圈匝数增大，角差也随之增大，线圈电阻受外界环境影响也增大。对直流供电系统 的漏电流检测，目前常采用的方法是：通过在直流母线中注入低频交流电压，然后用交流互感器进行检测， 该法易受直流系统分布电容影响及受到相近频率的交流信号干扰等缺点，从而影响了检测精度及灵敏度的提 高。本文作者提出了采用单纳米晶环形磁芯双绕组多谐振荡桥励磁的新型电流传感器，已通过实验验证了传 感器的可行性，通过大量的实验得出了一定的规律性，但由于多谐振荡桥为非线性电路，铁磁材料为非线性 元件，难以给出输入与输出间的解析关系，因此对本人所提出的传感器一直没有较为完整的理论。本文通过 采用理想化磁滞回线模型9建立了与实验结果很好吻合的理论，从理论上解决了该传感器的测量原理，该理 论为优化传感器参数，设计出高性能传感器提供了可靠地依据，也为使用EDA设计该类传感器成为可能。 该传感器也可对交流电流进行检测，但带宽有限。 2．纳米晶合金敏感材料 感器的敏感材料，制得的传感器将比采用传统晶态材料及淬态非晶材料的传感器更具优越性。退火处理可使 制备过程及制成环形磁芯过程中形成的应力得以充分驰豫释放，并在非晶材料基体上形成尺度约10-．-15nm 晶粒。材料内非晶与纳米晶由于交换耦合作用，导致纳米晶合金材料具有低的矫顽力及对外磁场十分敏感的 磁导率【5堋。另外，材料经合适温度退火处理，还可明显提高材料的磁性能温度稳定性【71。因此，纳米晶合 金材料非常适合于用作检测弱电流的传感器的敏感材料。 la 本实验所用的纳米晶合金材料成分为Fc73．5C。lNb3Sil3．589，平均带厚35m，环形磁芯的内径为20mm， 外径为30mm，高10mm。 基金项目：江苏大学高级人才基金(1281110004)：安徽省自然科学基金 554 ，’肚漪啦堂士仕娟 ．)· I≈瓣自订狸i／1I汨1￥皂， 将励磁线圈接入图1左部所示的传感器的基本电路一多谐振荡桥路中，在多谐振荡桥J晤l-．4：五!J静HU～卜信号处理 电路，给出随待测电流变化的输出电压信号。线圈接入电路时应使两线圈在磁芯中所产生的励磁磁场方向相 反。 图l 电流传感器基本电路——多谐振荡桥路及信号调理电路框图 图2桥路输出信号 在桥路元件参数选择合适，且对应元件参数高度对称情况下，桥路输出的实际信号V(t)接近于方波信号， 输出的信号的波形如图2所示。传感器的基本电路为图1中的振荡电路部分，该部分电路所用元件少，结构 简单，易于保证对应元件参数一致，易于产生自激振荡，且易于集成。接通电源后，多谐振荡桥中的两个三 极管交替导通与截止，产生的波形V(t)如图2所示。