高速电路设计概论.ppt

培训 高速数字电路设计 及EMC、EMI考虑 介绍 主题: 1.高速电路设计；2.EMC、EMI考虑 本次讲座中将介绍到的内容： 1.微带线、带状线的设计概念 2.常见的电路匹配措施 3.高速电路设计的一般原则和调试方法 电磁兼容考虑 （下一次交流） 第一个主题： 高速电路设计 高速数字信号的概念 1.高速数字信号由信号的边沿速度决定 2.上升时间小于4倍信号传输时延可视为高速信号 3.另一个角度理解：非稳定时间在1/4周期以上 第二个主题：微带线、带状线的设计概念 2.1微带线（Microstrip） 2.2带状线（Stripline） 2.3印制板的经验设计数据 2.4同轴线（Coaxial Cable） 2.5双绞线（Twisted-pair Cable） 2.1微带线（Microstrip） 微带线的模型： 微带线的决定参数：W,t,h,εr 微带线的相关参数：特征阻抗、传输延迟、固有电容、固有电感（见下一页） 规律：微带线传输延迟只与板材的介质参数和线长有关，而与板厚、线宽、特征阻抗等无关。 经验参数：微带线的传输延迟为0.145nS/inch 2.2带状线（Stripline） 带状线的模型： 带状线的决定参数：W,t,h,εr 带状线的相关参数：特征阻抗、传输延迟、固有电容、固有电感（下一页） 规律：带状线传输延迟只与板材的介质参数和线长有关，而与板厚、线宽、特征阻抗等无关。 经验参数：带状线的传输延迟为0.185nS/inch 2.3印制板的经验设计数据 常用印制电路板的材料：FR-4（εr在4.5～5之间） 75Ω微带线：w≈h；50Ω微带线：w≈2h；25Ω微带线：w≈3.5h； 75Ω带状线：w≈0.125h；50Ω带状线：w≈0.333h； 双面电路板一般厚度：1.68mm（66mil），铜层厚度：0.05mm（2mil） 四层板一般总厚度（中间厚，两边薄型）：1.58mm（62mil），中间厚度：0.9mm（35mil） 上下夹层厚度：0.33mm（14mil），铜皮厚度：0.05mm（2mil） 印制板常用地微带线特征阻抗参考设计表 2.4同轴线（Coaxial Cable） 同轴线的模型： 同轴线的决定参数：d1,d2,εr 同轴线的相关参数：特征阻抗、传输延迟 规律：同轴线传输延迟只与电缆的介质参数和线长有关，而与线内径、线外径、特征阻抗等无关。线外径越细，特征阻抗越小；线内径越细，趋肤效应越明显。 经验参数：一般的宽频同轴线一空气为介质，50Ω同轴线外径/内径＝2.3，75Ω同轴线外径/内径＝3.5。插入介质时，可以将同轴线的外径减少，但增加了插入损耗，限制了频带。常用50Ω同轴线使用空心骨架方法，75Ω同轴线使用插入介质的方法。 2.5双绞线（Twisted-pair Cable） 双绞线的模型： 双绞线的决定参数：d,S,εr 双绞线的相关参数：特征阻抗、传输延迟 规律：双绞线传输延迟只与电缆的介质参数和线长有关，而与线内径、线间距离、特征阻抗等无关。 经验参数：一般双绞线特征阻抗为100Ω，胶合的越紧密，特征阻抗越均匀；平行线也可以看作是一种松胶合的双绞线，一般电视上的平行线特征阻抗为300Ω 第三个主题：常见的高速数字电路 常见的高速数字电路有 ECL（Emitter Coupled Logic）、 CML（Current Mode Logic）、 GTL（Gunning Transceiver Logic）、 BTL（Backplane Transceiver Logic）、 TTL（Tansistor Tansistor Logic）、 HCMOS（High-speed Complementary Metal Oxide Secmiconductor）、 LVDS（Low Voltage Differential Signaling） 等等 而我们设计中常用到的是后面三种 3.1高速TTL电路 驱动能力强，高电平输出电流可达32mA，低电平灌入电流可达64mA；高电平输出电阻一般为30Ω，低电平输出阻抗低达10Ω以下。 有阻尼输出现象（输出匹配电阻大概33Ω左右），高低电平电流均为12mA。 速度较快，上升时间在几个nS范围内，触发翻转频率可达100MHz以上，但是pin to pin时延常在10nS左右。 常用的高速TTL器件一般为AC、F、ACT、AL、等系列，F系列速度最高，但功耗也最大，带T的系列是低压3.3V器件。 3.2高速HCMOS电路 驱动能力较强，电平范围可达电源电压，高低电平驱动能力均等，输出阻抗在几个Ω到