METROSILSIC非线性电阻的性能特征.doc

METROSIL? SIC非线性电阻的性能特征 目录 前 言 3 一、MI METROSIL 性能特征 4 1、SiC非线性电阻V-I特性： 4 2、SiC非线性电阻组合特性表达式 6 3、SiC非线性电阻的温度系数 6 4、温升计算 7 5、SiC非线性电阻的灭磁时间 7 6、Metrosil SiC非线性电阻的时效性 8 7、Metrosil SiC非线性电阻的故障损坏形式 8 二、MI METROSIL 技术规范 9 1、技术规范 9 三、MI METROSIL 参数选择 12  METROSIL? SIC非线性电阻的性能特征 MI Materials Mark GoodMAN（英） 清华大学电力系统国家重点 实验室兼职研究员 李基成  前 言 MI Materials 公司为专业制造以SIC碳化硅材料构成的系列非线性电阻全球制造商。 位于英国Trafford 工业园区的MI Materials 公司建立至今已有50余年的历史,在产品销售方面，特别是对于其主流产品--- SIC碳化硅非线性电阻，产品应用已遍及世界各地，客户有ABB、ALSTOM、SIEMENS、AREVA以及VA TECH SAT等国际制造商。 在我国和世界著名的三峡水电厂左岸及右岸26台700MW水轮发电机组励磁系统中均采用了MI Materials 公司的SiC非线性灭磁电阻。 在本文中将对MI Materials 公司生产的METROSIL系列的SIC非线性电阻的性能特征、技术规范以及参数选择等问题作一简要的叙述。 一、MI METROSIL 性能特征 1、SiC非线性电阻V-I特性： 在评价非线性电阻电气特性时，通常以非线性电阻系数予以表述，相应表达式为： V ＝ K Iβ 　　 （1） 　 I ＝ HVα （2） 式中：V—非线性电阻两端的电压； I—流过非线性电阻的电流； K,H—非线性电阻位形系数，与非线性电阻的体积形状，电阻片的串、并联组合以及材质有关； β,α—电阻非线性系数（ β =1/ α ） 。 对于SiC非线性电阻，由于在较大的电流变化范围内，其电压变化范围相对的较小，不便于查对，为此在实用中多将式（1）及式（2）以对数坐标形式来表示。 对于式（1）其对数表达式为： log V ＝log K + βlog I （3） 在以V－I表示的双对数坐标系中，此时非线性电阻的伏安特性近似为一条直线，如图1所示。  图1 非线性电阻的伏安特性 在式（3），当 I=1A时可得出： log V＝ log K 或 V＝ K （4） 式（4）说明，在V－I双对数坐标系中，系数K等于I=1A时，V－I特性曲线与V轴相交的电压值。 同理由式（2）可得： log I＝log H + αlogV （5） 当V＝1 时，在V－I特性曲线中，与其对应的电流值I=H。 下面讨论一下式（1），式（2）中各系数K，H，α及β之间的关系式，由式（2）可求得： （6） 令式（1）等于式 （6），可求得： 整理得： （7） 对于应用于发电机灭磁回路中的Metrosil SiC非线性电阻， 当其V－I特性以V＝K Iβ 表示时，其典型K及β值如表1所示： 　　表1 阀片厚度 K（对于单片阀片） β（对于单片阀片） 20mm（0.8”） 40 to 250 0.5 to 0.3 0.6” 106 0.4 0.45” 75 0.4 0.3” 53 04 选择不同厚度阀片,不同的接线方式以及K和β参数值,可满足各种灭磁工况的需求 。 2、SiC非线性电阻组合特性表达式 作为灭磁电阻用途的SiC非线性电阻，在实际应用中为了满足灭磁总容量的要求，通常须将电阻片连接为多路串联、并联接线。其V—I 特性表达式将不同于单片的V—I 表达式。 a. 串联表达式 假定单片非线性电阻的V-I特性表达式为： 如果Ns片串联连接，其V-I 特性