硅基功率集成的可靠性关键技术与应用.doc-东南大学科技处.doc

2015年教育部推荐项目公示材料（发明奖（含专利类）、发明奖-直报类） ? 1、项目名称： 硅基功率集成的可靠性关键技术与应用 国家技术发明奖（直报） 4、项目简介： 功率集成芯片是现代功率电子的核心。现今，功率电子朝着更大功率、更高频率和更小体积的方向发展，这要求功率集成芯片能长期承受高电压、大电流及高温等恶劣的电热应力冲击，因此，功率集成芯片的可靠性成为现代功率电子发展的瓶颈，也是其核心竞争力的关键所在。 东南大学从2006年起，先后得到江苏省科技厅和国家重大专项的持续支持，并与无锡华润上华、苏州博创进行产学研合作，针对功率集成的安全工作区、热载流子寿命、自保护能力、高低压隔离及抗瞬态电应力冲击等可靠性问题，开展了从机理探索、实验分析、创新发明到集成应用的系列研究，攻克了硅基功率集成的可靠性关键技术，系统性地构建了功率集成芯片的可靠性设计方法及自主制造平台，打破了国际垄断。核心发明如下： 【1】从关态耐压限、等功率限及最大工作电流限等角度全面研究了功率集成器件的安全工作区，首创了多种宽安全工作区的功率集成器件，包括带有双槽结构的SOI-nLDMOS器件和级联型SOI-nLIGBT器件等，器件安全工作区扩展20%以上，大幅降低了功率集成芯片及系统在极限电应力工作条件下的烧毁概率。 【2】研究揭示了碰撞电离率、表面纵向电场及载流子温度与功率集成器件热载流子退化的内在联系，进而发明了多种高热载流子可靠性的功率集成器件，包括带有阶梯栅氧化层的nLDMOS器件和带有“L”型P掺杂区的SOI-nLIGBT器件等，器件寿命提高20%以上，有效延长了功率集成芯片及系统的工作寿命。 【3】通过研究功率集成器件ESD和闩锁自保护能力与电场分布、热点转移及电流通路的本质关系，首次提出了两种具有强自保护能力的功率集成器件，其中，带有“W”型缓冲层的SOI-pLIGBT器件的ESD自保护能力提升30%以上，带有双P阱注入结构的SOI-nLIGBT器件的闩锁自保护能力提升25%以上，解决了功率集成芯片的ESD和闩锁自保护能力与芯片面积之间的矛盾。 【4】基于200V SOI集成工艺平台，发明了一种埋氧化层过刻蚀的高可靠深槽隔离结构及制备方法，使隔离击穿电压提升25%；基于700V外延工艺平台，发明了一种带浮置岛状N阱且集成700V LDMOS器件的新型高低压隔离结构，使隔离击穿电压提升15%，解决了高压及高低压电路之间的击穿和漏电问题。 【5】基于700V外延工艺平台，研究揭示了抗dV/dt电冲击能力与噪声抑制的内在联系，首创了一种可集成于高压电平移位电路的双pMOS交叉耦合的共模噪声消除电路，使芯片抗dV/dt电冲击能力提升30%以上，大幅降低了功率集成芯片在恶劣瞬态电应力下的失效风险。 项目成果已在十多家公司获得应用。其中，等离子显示器驱动芯片已通过韩国三星和四川长虹的可靠性考核，累计销售约400万颗；700V单片集成AC-DC电源芯片已通过美的电器的可靠性考核，累计销售约1亿颗。2012-2014年新增销售46432.56万元，新增利润9075.23万元，新增税收3930.95万元，新增创汇1218.10万美元。本项目已获美国专利4项，中国发明专利25项；在IEEE EDL等国际权威期刊发表SCI论文34篇。已获2013年度教育部技术发明一等奖。 5、推广应用情况： 东南大学和无锡华润上华半导体有限公司、苏州博创集成电路设计有限公司从2007年起就围绕功率集成的可靠性技术展开了深入合作，在三方多年的共同努力下，揭示了功率集成器件的安全工作区扩展、热载流子退化、ESD损伤及瞬态电应力冲击失效的内在机理，在此基础上，成功发明了多种高可靠功率集成器件、电路及相关制备工艺，核心成果已经得到无锡华润上华、苏州博创、上海晶丰明源、无锡晶源及无锡芯朋等公司的全面应用，并实现了产业化，有效提高了高压BCD工艺平台相关产品的可靠性和市场竞争力。产品包括等离子显示驱动系列芯片、LED驱动芯片、AC-DC系列电源管理芯片等，广泛应用于显示驱动、照明及白色家电等领域，已取得显著的经济效益。基于本项目核心技术，2012年～2014年，无锡华润上华半导体有限公司和苏州博创集成电路设计有限公司实现累计新增销售收入46432.56万元，新增利润9075.23万元，新增税收3930.95万元，新增创汇1218.10万美元。 获奖项目名称获奖时间 奖项名称 奖励等级 授奖部门（单位）硅基功率集成的可靠性关键技术与应用 高等学校科学研究优秀成果奖—技术发明奖 一等 教育部 横向绝缘栅双极型器件电流密度和可靠性提升技术 第九届中国半导体创新产品和技术奖 无 中国半导体行业协会 中国电子材料行业协会 7、主要知识产权证明目录： 列表说明：知识产权类别、知识产权具体名