SnO2掺MnFeCo0.5Ni0.5O4基热敏陶瓷的制备与性能案例.pptxVIP

 SnO2掺MnFeCo0.5Ni0.5O4基热敏陶瓷的制备与性能研究 指导老师：李栋才老师 小组成员：朱贵峰（组长），王南，袁兴伟，孙浚洋， 李心琦，汪家俊，胡子洋，吴维发 目 录 一、文献综述 二、实验 三、结果与讨论 四、结论 一、文献综述 简介 结构类型 物性参数 导电机理 制备方法 应用 1、简介 NTC(Negative Temperature CoeffiCient)是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数(NTC)的热敏电阻。 2、结构类型 热敏电阻种类繁多，依照元件的工作温度，组成和结构，形状等可以分为多种结构类型 低温型 （1） 温度 常温型 高温型 氧化物系 （2）组成与结构 非氧化物系 单体等 细珠型 (3)形状 圆片型 多层片式等 表一 各种典型NTC热敏陶瓷的主要组成与应用 3.物性参数 热敏电阻的基本参数包括材料常数B值、温度系数、伏安特性、时间常数及热特性常数等 1.材料常数 B R1是温度T1时的零功率电阻值；R2是温度T2时的零功率电阻值；国家标准规定，T1=298K（25℃），T2=358K（85℃）。 对于常用的 NTC 热敏电阻， B 值范围一般在 2000K ～ 6000K 之间 2.温度系数α 显然，温度系数并非常数，随着T的升高迅速减小。 3.零功率电阻值 RT（Ω） RT指在规定温度 T 时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。 电阻值和温度变化的关系式为： RT = RN expB(1/T – 1/TN) 该关系式是经验公式，只在额定温度 TN 或额定电阻阻值 RN 的有限范围内才具有一定的精确度，因为材料常数B 本身也是温度 T 的函数。 4.零功率电阻温度系数（αT ） 在规定温度下， NTC 热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。 5.耗散系数（δ） 在规定环境温度下， NTC 热敏电阻耗散系数是电阻中耗散的功率变化与电阻体相应的温度变化之比值。 δ： NTC 热敏电阻耗散系数，（ mW/ K ）。 △ P ： NTC 热敏电阻消耗的功率（ mW ）。 △ T ： NTC 热敏电阻消耗功率△ P 时，电阻体相应的温度变化（ K ）。 6.热时间常数(τ) 在零功率条件下， 当温度突变时， 热敏电阻的温度变化了始未两个温度差的 63.2% 时所需的时间， 热时间常数与 NTC 热敏电阻的热容量成正比，与其耗散系数成反比。 τ： 热时间常数（ S ）。 C： NTC 热敏电阻的热容量。 6.额定功率Pn 在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许消耗的功率。在此功率下，电阻体自身温度不超过其最高工作温度。 7.最高工作温度Tmax 在规定的技术条件下，热敏电阻器能长期连续工作所允许的最高温度。即: T0-环境温度。 4.导电机理 NTC热敏半导体陶瓷材料通常都是以MnO为主材料，同时引入CoO、NiO、CuO、FeO等，使其在高温下形成半反或全反尖晶石结构的半导体材料。以下分三种情况讨论其导电机理： 尖晶石结构：MnO中引入可变价的氧化物FO（F:过渡金属离子），经高温烧结形成尖晶石结构。一般认为高温下（温度大于800oC）氧化锰可以以正尖晶石结构的Mn3O4形式存在，其结构式为Mn2+(Mn3+Mn3+)O42-。当引入FO氧化物时，部分F离子占据B位而形成半反或全反尖晶石结构，结构式满足电子交换条件，因而可以形成半导体材料。 反尖晶石结构：MnO中引入非变价的氧化物FO，经高温烧结同样会形成反尖晶石结构，即有 部分F离子进入B位而将B位的三价Mn3+置换出来。 立方尖晶石结构：含锰的三元系半导体陶瓷导电机理与二元系的相似，锰的