结构不完整性案例.ppt

第三章 结构的不完整性 Chapter III Imperfection of Structures 3.1. 引言 Introduction 研究缺陷的目的 缺陷的分类 研究缺陷的目的 缺陷决定众多的固体物理和工程现象: 电子、离子电导、半导体现象、敏感现象、 机械性能、烧结、扩散、晶界现象 控制和消除缺陷 【缺陷分类】 3.2. 缺陷化学基础Basic concept of defect chemistry 【缺陷反应式】Defect reaction equations 位置比例不变（但总量可变）：Al2O3: 2 : 3 电荷、质量平衡 电荷、质量不变 例: Al2O3 加入 MgO 浓度符号: [ ] [e ′] → n [h˙] → p 3.3. 本征缺陷 (热缺陷) Intrinsic defects (thermal defects) Schottky 缺陷: 可能出现的其他情况 　　　TiO2 (one titanium vacancy and two oxygen vacancies) 　　　Al2O3 (a quintuplet) 晶格数发生变化: BaTiO3 Flenkel缺陷: 　　晶格数不发生变化 【热缺陷浓度】Concentration of Defect 3.4. 非本征缺陷Extrinsic defects 连续固溶体 complete SS MgO-FeO Al2O3-Cr2O3, 部分固溶体 limited SS BaTiO3-CaTiO3 置换条件 置换型SS生成的关键因素： “相似者亲”：尺寸、结构、价 3.6. 固体电子结构与缺陷Electron structure defects in crystals 3.5.1. 自由电子气模型 3.5.2. 费米能级 3.5.3. Bloch定理 3.5.4. 晶体中的能带 3.5.5. 绝缘体、导体及半导体 3.5.6. 【基矢与格矢】 3.6.1. 自由电子气模型Free electron gas model 3.6.3. 布洛赫定理 Bloch Theorem 自由电子模型的Sch?rdinger 波动方程 (一维)的解: 3.6.4 晶体能带 Energy band in crystals 能带形成的解释（一） — 原子、分子的电子能级与晶体中能带的关系 能带形成的解释（二）—布洛赫波与能带 3.6.5. 半导体 semiconductors 【电导与载流子】carries 能带结构决定载流子浓度! 【能带中的费米能级的意义】Fermi level in band 非本征半导体 extrinsic semiconductors （杂质半导体 impurity semiconductors） 【施主与施主能级】Donor and donor level 【受主与受主能级】Acceptor and acceptor level 3.7 线缺陷及面缺陷 Linear planar defects 【线缺陷】line dislocations 螺旋位错 screw dislocation 剪切应力同时造成两种位错 A phase boundary grain boundary A low-angle grain boundary A grain boundary with void A phase boundary with a dilatant void filled with a fluid. A twin boundary. 第三章 完 【Tea Break】 de Broglie 1892: born in France 1910: graduated with an arts degree (majored in history) 1914: World War I, serving in the army （at the Eiffel Tower） 1920: resuming studying theoretical physics 1924: doctoral thesis on theory of matter waves 1929: awa