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5、现象： 原理：利用稀碱溶液与光致抗蚀剂中未曝光部分的活性基团（羧基）反应，生成可溶性的物质溶于水，而曝光部分的干膜不发生溶解。 药液及条件：1%NaCO3，建浴时使用纯水建浴，最佳的现象条件是最小现象时间（BP）的1.5-2.5倍，实际生产中再根据所需密着性进行调整；因干膜溶解如碱液后会产生一定的泡沫，故需要定量添加适量的消泡剂，我司使用的消泡剂汇总如图： BP测试方法：使用该个工程的铜板，DF贴合后于DES现象，裁剪为约300mm长，根据现象槽长度，仅留用约3列喷嘴的现象有效长度，其余位置使用邪魔板遮蔽，粗略计算干膜的BP或根据厂家给出的BP设定初始测试速度，按0.5m/min的速度递增减，直至铜板上的干膜刚好 被完全洗掉，记录此时速度，根据：BP=现象有效长度/干膜刚好被完全洗干净的速度*60s；得出该现象槽的BP时间。 5、现象： 影响现象效果的因素：现象时间的有效控制（1.5-2.5倍BP）、喷淋压力（0.15Mpa左右）、喷淋摇摆频度（30回/min）、滚轮间距和清洁程度、喷嘴形状及喷淋形状等。 经过显影后的线路板即使有部分显影不完全或残留也不易检查出来，通常采用氯化铜试验来测试：将显影后的板子放入氯化铜稀溶液中，少时取出，裸露出来的铜箔表面会变成深棕色的氢氧化亚铜，当未完全显影有部分残留时用肉眼就能非常清楚的检查出来。 6、蚀刻： 原理：在蚀刻过程中，氯化铜中的二价铜具有氧化性，能将印制电路板面上的铜氧化成一价铜，其化学反应如下：Cu+CuCl2→Cu2Cl2， 在有H2O2存在的情况下： Cu2Cl2+2HCl+H2O2 →2CuCl2+2H2O 影响蚀刻速度的因素：影响蚀刻速率的因素较多，但影响较大的是蚀刻液中的氯离子、一价铜的含量，蚀刻液的温度及二价铜的浓度等； ①氯离子的影响：我司通过滴定柜控制盐酸浓度来控制氯离子的含量，在蚀刻反应过程中，生成Cu2Cl2不易溶于水，而在铜的表面生成一层氯化亚铜膜，阻止了反应进行。但过量的氯离子能与Cu2Cl2络合形成可溶性络离子[CuCl3] 2-从铜表面溶解下来，从而提高了蚀刻速率； 6、蚀刻： ②一价铜和二价铜的含量比例：在蚀刻过程中，随着化学反应的进行，就会形成一价铜，微量的一价铜存在蚀刻液内，会显著的降低蚀刻速率，而随着反应的进行，当铜含量达到一定浓度时，蚀刻速率就会下降；要保持恒定的蚀刻速率就必须控制蚀刻液内的含铜量；我司通过控制ORP（氧化还原电位）550-700mv来平衡一价铜和二价铜的比例； ③蚀刻液温度：最好温度控制在45-55℃。当然温度升高，蚀刻速率增加，但温度过高会引起盐酸过多的挥发，导致溶液组分比例失调； ④二价铜浓度：铜浓度在240-280g/L之间可以维持一个比较稳定的蚀刻速度和循环状态。 7、剥离： 原理：使用3%-5%的NaOH强碱使得干膜膨胀发软，破坏干膜与铜张板之间的结合力最后脱离铜板表面。 条件设定：通过确认LP（最小剥离时间），按照2倍LP时间来设定速度；LP确认方法：G2text板露光现象后，某个速度在剥离槽内流动，记录刚好被完全剥离干净的距离，根据LP=刚好完全剥离的距离/流动速度*60s得出结果； 影响因素：①药液浓度和温度，如下图： ②药液喷淋压力和喷嘴形态:压力越大剥离时间越短，但考虑到制品被冲压变形，一般考虑为0.25MPa以下； 8、其他药槽作用： 现象后水洗：保证水洗温度在30℃以下，保证水洗的时间是现象时间的1/2以上，理想状态是和现象时间同等；现象水洗不足容易导致现象液清洗不尽，在酸性环境下再DF化； 蚀刻后酸洗：目的是将蚀刻后线路侧壁上的氯化铜残液和蚀刻液与曝光干膜混合产生的黑色油污物去除；酸洗效果不足的情况下，会导致剥离液沉淀无和黑色油污物析出，影响剥离效果； 剥离后酸洗：酸碱中和，去除表面附着碱液，并对线路成形后的板面进行微蚀刻处理； 防锈槽：防止氧化变色；但防锈层厚度与CF的接着强度呈反比，故防锈膜厚管理范围：33-38*10-10m；液温20 ℃时，处理时间控制在25-30s，25-30 ℃时，处理时间控制在10-20s； 防锈后水洗：为了防止变色，防锈后水洗需使用纯水，保证最后一道纯水洗的电导率在5μs/cm以下。 FPC 图形转移（线路成形）基础教育资料 一、概述………………………………………….3 二、材料介绍…………………………………….4 三、线路成形工艺流程及原理………………….16 前处理…………………………………….....17 DF贴合/压着………………………………..20