半导体二极管的伏安特性曲线如图1-9所示。.ppt

项目一 音频放大器的设计与制作 任务1 半导体器件的识别与测试 ——认识常用半导体器件 1.1必备知识 1.1.1 半导体的基本知识 1.1.2 半导体二极管 1.1.3 半导体晶体管 1.1 必备知识 1.1.1半导体基本知识 半导体器件是构成各种电子电路的基本元件，它们所具有的外部特性决定于其内部结构，而它们所用的基本材料是半导体。即指经过特殊加工，性能可控的半导体材料，例如硅（Si）和锗（Ge）等。由于其具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点，因而在现代电子技术中得到广泛的应用。 1.1.1.1 半导体特性 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。半导体指的是导电性能介于导体和绝缘 体之间的那些物质，其电阻率为10-3～10-9??cm ，典型的 半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体特点： (1)热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。 (2)光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3)掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。 1.1.1.2 本征半导体 本征半导体即是纯净的具有完整晶体结构的半导体。这种单晶体中，相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）成为共用电子，它们一方面绕自身的原子核运动，另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上，这样的组合成 为共价键结构，如图1-1所示。 1.1.1.2 本征半导体 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 1.1.1.2 本征半导体 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反 的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 1.1.1.2 本征半导体 导电机制 1.1.1.3 掺杂半导体 本征半导体中，用扩展工艺掺入少量合适的其它元素，就可使其导电性能得到改善。这些元素称为杂质，掺入了杂质的本征半导体称为掺杂半导体或杂质半导体。若掺入五价元素（如磷元素），则形成N型半导体；若掺入三价元素（如硼元素），则形成P型半导体。 1.1.1.3 掺杂半导体 N型半导体和P型半导体的晶体结构 1.1.1.4 PN结 1.PN结 在利用掺杂方法将P型半导体与N型半导体制做在一起时，由于交界面两边载流子的浓度差很大，P区的空穴浓度远大于N区，而N区的自由电子浓度远大于P区，所以必然产生扩散运动。空穴必然从P区向N区扩散，而自由电子必然从N区向P区扩散，如图1-4（a）所示。 在一定温度下，P区与N区交界面的两种运动达到动态平衡，即从P区扩散到N区的空穴数目等于从N区漂移到P区的空穴数目；同样，从N区扩散到P区的自由电子的数目等于从P区漂移到自由电子的数目。在动态平衡时，交界面附近产生了缺少载流子的区域，称为空间电荷区，或称耗尽层、阻挡层，也就是PN结。 1.1.1.4 PN结 1.1.1.4 PN结 2.PN结的单向导电性 如果在PN结两端外加电压，就将破坏原来的动态平衡，扩散运动与漂移运动不再是对等的。外加不同方向的电压时，表现出截然不同的导电性能，即呈现出单向导电性。 （1）PN结外加正向电压时处于导通状态  当电源的正极（或正极通过电阻）接到PN结的P端，并且电源的负极（或负极通过电阻）接到PN结的N端时，称为PN结外加正向电压，也称为正向接法或正向偏置。此时，PN结处于导通状态。如图1-5（a）所示。 1.1.1.4 PN结 （2）PN结外加反向电压时处于截止状态  当电源的正极（或正极通过电阻）接到PN结的N端，并且电源的负极（或负极通过电阻）接到PN结的P端时，称为PN结外加反向电压，也称为反向接法或反向偏置。此时，PN结处于截止状态。如图1-5（b）所示。 综上所述，PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态，即PN结具有单向导电