显微结构分析(一).doc

顯微結構分析(一) 半導體晶片表面缺陷之分析 龔志榮副教授編撰 一、實驗之目的 本實驗旨在使學員了解，如何使用化學浸蝕方式顯現半導體晶片表面材料缺陷和利用光學干涉顯微鏡觀察晶片表面之浸蝕孔，進而評估晶片缺陷之密度。 二、實驗設備和材料 實驗設備主要為諾瑪斯基干涉式光學顯微鏡(Nomarski interference contrast optical microscope)，用來觀察經化學浸蝕後之砷化鎵(GaAs)晶片表面狀態。 三、實驗原理 (一)半導體材料缺陷孔蝕之分析 晶格缺陷一般均會存在於材料內部，它們的存在通常都會影響材料的特性。由於半導體材料大都應用在微電子元件及光電元件中，材料內部的缺陷往往會導致元件功能之不良或壽命之衰減，對於缺陷的容忍度很低。因此探討半導體晶片表面的缺陷例如差排等，乃評估晶片品質好壞的指標。在所有缺陷分析方法中，藉由濕式化學浸蝕(wet chemical etching)來顯現半導體材料內之差排孔蝕(etching pit)密度，是最常被用來鑑定半導體晶片品質的方法之一。 在濕式化學浸蝕中，浸蝕液對缺陷區附近材料之浸蝕速率高於非缺陷區，因此常會發生選擇性孔蝕(selective etch)，因此在干涉式光學顯微鏡下即可清楚的觀察到缺陷，並得以計算其密度。表一所列為部份半導體晶片缺陷孔蝕所使用之浸蝕液組成圖。圖一為干涉式光學顯微組織照片，顯示砷化鎵晶片上之差排孔蝕。 Si 表一 圖一 (二)微分干涉對比光學顯微鏡 這種利用干涉對比方式將晶片表面之些微的高低分佈明顯的表現在光學顯微觀察中，乃由諾瑪斯基氏(G.Nomarski)在1952年所發明。圖二所示為諾瑪斯基微分(differential)干涉對比顯微鏡主要的光學組件和光路徑之對應關係。其中，最重要的組件有:偏光鏡(polarizer)和分光稜鏡(Normarski prism)，它們的功能分別是將未極化(unpolarized)入射光極化成為45(角之極化(polarized)光和將此極化光進一步分離成兩道光束。 圖二.Nomarski微分干涉對比顯微鏡之光學組件之對應關係 圖三說明分光稜鏡的結構，其實是由兩塊光軸互相垂直的稜鏡組合而成。極化光進入第一塊稜鏡後，分量光束(two components of the polarized light beam)感受到不同折射率造成在前進速率(speed)上有差別，當它們碰到稜鏡接合點時，遂形成兩道分離光束，光束間所張之發散角(angle of divergence)正好契合物鏡之焦距，藉由調整稜鏡可改變此兩道光束在試片表面反射後之相差(phase difference)，進而形成不同顏色之相對比，以分析晶片表面之高低分佈。 圖三.Nomarski稜鏡，由兩片光軸相互垂直之稜鏡所組成，可將極化光分離成兩道光束。 如圖四所示，不同的表面起伏分佈在諾瑪斯基顯微鏡下的微分干涉對比強度分佈。若試片表面上有階梯，一般會在階梯處呈現成一線狀條紋，而具備相同斜率之斜面會呈現相同之對比(顏色)，即使高度不同之兩平面在顯微鏡下亦會呈現出相同顏色。  圖四.不同物體表面起伏外觀，在微分干涉對比顯微鏡下之微分干涉強度對比分佈。 四.實驗步驟 本實驗所使用之蝕刻儀器如圖五 (1)首先將氫氧化鉀(KOH)試劑放入白金坩鍋，接著以電熱器將坩鍋升溫至300?C?350C，而其溫度隨時間增加的曲線如圖六。 (2)將{001}面的GaAs晶片浸入熔融之KOH內1.5至9分鐘。 (3)蝕刻之後將試片置於坩鍋外冷卻至室溫，置入盛去離子水的燒杯中以超音波震盪器震盪清洗。 (4)以OM觀察時蝕刻前、後試片的表面狀況。 (5)計算試片表面之差排蝕孔密度(EPD) 圖五.氫氧化鉀化學浸蝕儀器示意圖 圖六.氫氧化鉀浸蝕試劑加熱之溫度和時間關係曲線 材料進階實驗（二）顯微結構分析（一） 1 GaAs