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3.V-I特性曲线 N沟道耗尽型MOS 管的输出特性和转移特性曲线，如图所示。 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 带源极电阻的NMOS共源极放大电路如图所示： 2. 图解分析  第五章习题 5.1.2 5.1.4 5.2.3 5.2.6 5.3.8 5.5.3 5.5.4 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 返回 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 返回 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET的小信号模型 （a）FET在共源接 法时的双口网络 （b）低频模型 （c）高频模型 返回 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2.应用小信号模型法分析JFET放大电路 图（a）所示的共源电路的小信号等效电路如图（b）所示，图中 通常在几百千欧的数量级，一般负载电阻比 小很多，故此时近似认为 开路。 (a)电路图 （b）小信号等效电路图 （1）电压增益 返回 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 （2）输入电阻 （3）输出电阻 负号表示输入电压与输出电压反向，共源电路属倒相电压放大电路。 返回 例 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 （2）中频电压增益： （3）输入电阻： 得 解： （1）中频小信号模型 由 例题 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 返回 （4）输出电阻 所以 由图有 例题 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 返回 解： 画中频小信号等效电路 则电压增益为 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 根据电路有 由于 则 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 返回 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 场效应管小结 返回 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 5.5.2 各种放大器电路性能比较 返回 5.5.1 各种场效应管的特性比较及使用注意事项 1.各种FET的特性比较 (1) MOSFET有N沟道和P沟道，有耗尽型和增强型，栅极电压可正可负。 (2) JFET有N沟道和P沟道，只有耗尽型，栅极电压只能反偏。 (3) MESFET主要是N沟道，耗尽型，栅极电压反偏，0。用于特高频。 2.使用注意事项 (1)在MOS管中，有时将衬底也引出。N衬底接高电位，P衬底接低电位。当源极电位太高或太低，衬底可直接连至源极。 (2)FET通常制成对称结构，S、D可以任意互换，但有些产品在内部将源极与衬底相连，S、D就不能互换。 (3)JFET的栅源电压不能反接，可开路保存。MOS管的栅源电压可正反接，但保存时应将各电极短路，防止外电场的破坏。 (4)焊接时，电烙铁必须接地。最好断电后再焊MOSFET。 5.5 各种放大器电路性能比较 返回 * 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 第四章小结 本章习题 本章小结 引 言 BJT是电流控制电流器件，而场效应管是电压控制电流器件。 场效应管的特点： 体积小，重量轻，耗电省，寿命长，输入阻抗高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单。特别在大规模、超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 场效应管分为两大类： 结型场效应管(JFET)、金属－氧化物－半导体场效应管(MOSFET)。 第五章 场效应管放大电路 返回 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2