一种MEMS集成传感器的设计.pdfVIP

一种MEMS集成传感器的设计奉 徐敬波蒋庄德赵玉龙 机械制造系统工程国家重点实验室，西安710049 西安交通大学精密工程研究所，西安710049 摘要：基于MEMS技术设计了一种单片集成三轴加速度，压力和温度传感器。对各个传感部件的 结构进行了理论分析和有限元仿真，并结合工艺要求优化了结构参数，同时对各测量参数的影响因素进 行分析和仿真．集成传感器采用SOI硅片材料，应用体硅工艺和阳极键合工艺制造。单片传感器的面积 为4x6rm-n。 关键词：集成传感器SOIANSYS仿真 在航空航天领域、军事工业领域、汽车领域，移动通讯等一些特定研究应用领域，由于受到体积、重量 以及功能的要求，国内外越来越多地关注到在尽可能小的体积、尽量轻的重量上拥有尽量多测量参数的集成 度传感器，用于环境测量；A．v．Chavan[31提出了一种集成压力传感器；国内张文栋【4】提出的一种集成加速度， 压力和温度传感器系统：方震【5】提出的集成温度和湿度传感器；周建发【6】提出了一种集成压力，温度和湿度 传感器。本文设计了一种以硅扩散电阻的压阻效应，温度效应为基本原理的单片集成三轴加速度，压力和温 度传感器。集成传感器采用SOI硅片，利用体硅工艺和阳极键合工艺制造制作。在设计过程中对加速度，压 力测量部分建立有限元模型，通过ANSYS有限元仿真优化了结构参数。 1．集成传感器的设计 图l显示了集成传感器中各个传感部件的分布。集成传感器由3个传感部件组成，包括：三轴加速度传 感部件，绝对压力传感部件和温度测量部件。整个传感器的尺寸为4mmx6mm。集成传感器采用氧离子注入 点。 图1 集成传感器各个传感部件分布图 1．1三轴加速度传感部件 三轴加速度传感部件的详细结构显示在图2。从图中可以看出，三轴加速度部件由四个硅悬臂梁支撑中 间的质量悬块m构成。在各悬臂梁两端部位通过离子注入形成压敏电阻，将各压敏电阻通过Al线连接分别 构成敏感咒y。Z方向加速度的3个惠斯通电桥(如图3)。当传感器受到加速度a时，质量块tn会把加速 度转化为惯性力F=ma，使悬臂梁发生形变，在梁上产生应力，应力变化导致压敏电阻的阻值发生变化， ·国家自然科学基金项目国家863MEMS重大专项资助(2005AA404210) 230 最后由惠斯通电桥输出相应电压的变化。由3个惠斯通电桥连接形式和悬臂梁的应力分布可知，3个电桥能 够分别敏感相应的■y，Z方向的加速度，同时避免各方向加速度的相互影响。二轴加速度传感部件中的 压敏电阻在(100)晶面上分别沿[1lo]和[110]晶向分布咀获得最大的压阻系数。对电桥使用恒流源供电可以 减少环境温度变化对电桥输出的影响。由硅加工的加速度敏感部分与起过载保护作用的玻璃通过阳极键合结 合在一起形成整个三轴加速度传感部件。对键合玻璃必须在相应位置腐蚀出浅槽为质量块留出～定的活动空 间，同时这个浅槽能提供加速度高过载的限位保护。 图2三轴加速度部件结构图和受Z向加速度和X向加速度时悬臂梁X向应力分布 VDD Rx2 Rz3 Ry2 ‰ b3 Rz4 图3双y、Z方向的惠斯通电桥 1．2绝对压力传感部件 绝对压力传感部件采用C型硅杯结构(如图4)。通过硅片背面的各向异性腐蚀形成正方形压力膜，由 于受加工条件的限制硅膜的厚度必须与悬臂梁厚度一致。硅杯与玻璃基底进行阳极键合形成真空腔，四个压 敏电阻布置在硅膜的四周应力最大的区域。压力传感部件的压敏电阻布置方向也是沿【110]和[1-0】晶向分布 以获得最大的压阻系数。 1．3温度传感部件 温度传感部件的结构显示在图5。温度传感部分利用掺杂电阻的阻值与温度的变化关系来测温：掺杂电 阻的电阻率主要取决于载流子的浓度和迁