一种低压差5V三端电源的研制.pdfVIP

一种低压差+iV三端电源的研制 胡永贵李俊蒲大勇 崔伟 (信息产业部电子24研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060) 摘要本文介绍了一种CMOS低压差+V三端稳压源的研制．在电路设计上采用PMOS管 作为调整管，用带隙基准和NMOS基准两种结构；在工艺上采用硅栅自对准CMOS 工艺均作出了100mA压差为0．3V的+5V三端电源。其中采用NMOS基准的三端稳 压源的静态电流和电源抑制比等参数均优于带隙基准的三端稳压源。 关键词：低压差调整管 NMOS基准硅栅自对准 1引言 随着微电子技术的发展，各种可移动设备越来越小型化，对它们的供电系统要求越来越 高，要求小型化和供电时间长【1．3】。如：移动通讯中的待机时间，笔记本电脑，手提医用设备， 以及野外用的便携式勘探设备等。在军用上更为重要，如卫星在太空中的运行时间。LDO从 最初采用PNP管到发展成PMOS均可作为调整管，只是根据不同的需要采用不同的功率器件 14-6]。本文采用PMOS管作为调整管作的三端电源，具有100mA时压差为0．3V，静态电流为 12UA。 2电路的工作原理 LDO采用传统的结构，它由一下几部分组成，误差放大器、基准电压、取样电阻网络、 ’ 短路保护以及PMOS调整管。其电路结构框图如图l所示： V 图1 电原理框图 ． 调整管可以是PMOS、PNP，视不同的需要确定。 其工作原理是：取样电压与基准电压通过误差放大器的负反馈作用调节调整管的栅源压 差达到调整输出电流的目的，输出电压的表达式如下： vo=％×[警] ㈣ 112 以上公式在忽略误差放大器的失调和PMOS管的漏电流下成立。 因此做好低压差电源必须做好：基准的稳定性和减小PMOS管的漏电流。 影响低压差电源的关键因素 影响电源性能有以下几个因素：脱落电压Ⅵ)肝(DropoutVoltage)、基准电压、电压调整 率、电流调整率等几个方面。 。 (1)DropoutVoltage 低压差电源(Lowdropout Voltage) Voltage)的一个重要技术指标是脱落电压VD脐(Dropout 小，它是反映调整管调整能力的一个重要因素，对于一个三端电源而言，调整管可工作在线 性区和饱和区如图2所示： 圈2PMOSFETI-v特性曲线 当PMOS管工作在线性区时相当于一系列可变电阻(一定的栅源压差)，当其工作在饱和 区时，相当于电流源。 时的输入电压与设定输出差，这时调整管相当于一个电阻(对于一定的Vgs)，因此脱离电压 由以下公式表示：其中IL为MOS管的漏电流 1，出=V胁一1，。 f21