一种低失配宽摆幅电压输出的电荷泵设计.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 一种低失配，宽摆幅电压输出的 电荷泵设计 魏晨曦，张晓林，孙凯 ” (北京航空航天大学电子信息工程学院，北京100083) 摘要：本文设计了一种应用于宽频频率合成器的电荷泵电路，它采用高摆幅放大器来增大 电荷泵输出电压范围，减小了电荷泵的电流失配。同时本文还分析了引入该放大器对电路 的影响，得到了较理想的仿真结果。 关键词：电荷泵；摆幅：电流失配。 一．引言 电荷泵(CP)具有结构简单，占用版图面积小，低功耗等优点，因此广泛应用于如图 1．1的锁相环频率合成器(PLL)中。理想情况下，鉴频鉴相器(PFD)输出的相位超前(6力 和滞后(删信号作为电荷泵的开关，控制电荷泵将电荷从环路滤波器中泵出或泵入， 从而调节环路滤波器输出的控制电压(vc。。们f)[1]。 锁相频率合成器的频率输出范围，由压控振荡器增益(K肋)和控制电压(‰耐) 范围共同决定。提高K、m会恶化锁相环的噪声性能，因此在宽频带应用中，需要尽可能 增大K刎。，的范围，也就是说，电荷泵输出电压必须尽可能地大[2]。 传统的电荷泵电路如图1．2所示 Vnn —r UP 一…一·’ F眦I …。一”一 DOWN ：竺!竺- …·-◆ 一 图1．1锁相环路框图 图1．2传统电荷泵电路图 UP和DOWN信号分别接在PMOS和NMOS的栅极，控制开关的通断。显然，为了保 证开关MOS管和电流源MOS工作在饱和区，vc。舯f的摆幅不能超过‰一％1一％2。并 且，当V乙。删变化时，电流源MOS管漏源电压％。显著变化，由于沟道长度调制效应的影 响，上下两个电流源会产生失配，更为严重的是，当输出电压摆幅大到一定程度时，上拉 管和下拉管其中一个会进入线性区而另一个留在饱和区，电容上充／放电电荷就不再与相 位差成正比。再次，MOS管寄生电容C。。将UP和DOWN开关信号耦合到采样电容上， 引发时钟馈通效应，从而引起压控振荡器(VCO)输出频率跳动。 二．改进电路 本文提出的电荷泵电路结构如下 ．109． 2005年ll·月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 图2．1新型低失配宽摆幅电荷泵 下拉电流镜，A1是一个高摆幅输出的差分放大器，增益为A。电荷泵工作前，开关sl闭 合，月J的两路输入都为参考电压％f，为了保证电流镜匹配，％c与M1的栅极电压和M4 的栅极电压都相等，此时A1的输出‰加f为恒定值，取为VDD／20之后，s1断开，电荷 泵开始工作，Ml和M2对充电电容c1充电或放电，A1将％，与％f的差值放大A倍，作为 VC0的控制电压‰们f。因此 vcoo加l=A(wcl—voc) C，取较大的电容值时，由于M5和M6导通时间有限，C，上的电压K，变化范围很小，即使 圪。舳f输出达到峰值‰，％1只变化％础／A。上拉电流镜中M5和MI以及下拉电流镜 中M4和M6的漏源电压‰基本保证匹配，因此有效避免了圪。删变化时MOS管沟道长度 调制效应对电流匹配性