一种含有曲率校正方法的CMOS带隙基准源.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 一种含有曲率校正方法的CMOS带隙基准源 史侃俊许维胜余有灵 (同济大学控制科学与工程系上海200092) 摘要：设计了一种用于电子镇流器片内的高性能带隙电压基准源。电路采用了不同材料电 阻的比值来进行曲率校正。基于某0．6umN阱CMOS混合信号模型的仿真结果表明：在5V 电压下，输出基准电压值在一20℃至120℃之间的温度系数为7．7ppm，在27℃室温下，输 dB。 出基准电压值在5V至8V之间的电压的电源抑制比为-60．88 关键词：CMoS；带隙基准源；曲率校正 中图分类号：TN402 A CMOS Reference Curvature-Corrected BandgapVoltage SHI XU YUYou—l Kan—jun Wei—sheng ing ofControlScienceand (Department Engineering，TongjiUni．，Shanghai，200092) Abstract：A curvature—corrected referenceusedin precision bandgapvoltage electronic utilizesa resistor ballasts，whichtemperature—dependentratio，is inthis the0．6umN-wellCMOS simulation presented paper．Using process．the resultsshowthatthe coefficientiSabout inthe temperature 7．7ppm range一20 ℃to120℃under5V andthePSRRiS about一60．88dBinthe 5Vto8V power range under27℃ Keywords：CMOS：Bandgapreference：Curvature—compenstated 1．引言 电压基准源在电子镇流器控制芯片中占有十分重要的地位，它为芯片内的保护模块、 变频控制模块等提供电压比较基准，其精度直接决定着控制芯片的性能。由于带隙电压基 准源出众的高精度、高稳定性、易于实现等特点，因此选择该基准源作为设计方案。本文 设计的基准源电路采用了合适的曲率校正方法来降低温度系数，使得该电路在所要求的温 度范围和电源电压范围内保持稳定。 2．基准源的设计要求H1 电子镇流器的工作环境通常在-20℃至120℃之间，一般采用稳压电源模块供电，电源 电压变化范围在5V至8V间。基于这种考虑，片内基准源只需满足这些外部要求即可。具 ℃ 3．曲率校正原理 普通的带隙电压基准源采用一阶线性补偿来达到使基准源温度系数趋于零的效果，一 般可达到25ppm／℃。其误差主要来源于晶体管EB结电压V口中的有关温度的非线性因素u。。 V韶可表为温度的函数于下式晡。： (1) V晒=％o—V【(4一n—ot)lnT—In(EG)】 式中，Vco是硅在0K时的带隙电压值，V。是热电压，n是晶体管基区中迁移率随温度变化的 指数，口是偏置电流随温度变化的指数(例如：，．=GT口)，EG是与温度