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一种多参数集成式传感器中的温度传感器研究。 周建发赵立波赵玉龙苑国英 西安交通大学精密工程研究所 西安710049 机械制造系统国家重点实验室 摘要：本文利用半导体掺杂技术，制作一种适用于多参数集成式传感器的硅热阻传感器。该传感器 针对本征半导体硅离子注入硼离子形成P+电阻，其电阻率随着温度的变化在一定范围内呈线性交化的 原理而制作。为避免集成传感器中压力测量时对温度部分的影响，温度检测电阻沿压阻系数最小的晶向 [1001布置．硅热阻传感器具有良好的线性度，灵敏度高(11．3／℃)，迟滞性好．单晶硅掺杂工作的范围 比较小，要运用到较广的范围需要其他隔离措施． 关键词：离子注入扩散硅温度传感器集成式传感器多参数 1．引言 半导体具有低成本、高集成性及良好的电学性能和机械性能，因而被广泛用于各种参数的检测，如 运动、压力、温度、红外，化学感觉等。温度传感器种类繁多，一般有热电偶、热阻式及双金属片温度 传感器。随着工业自动化程度的提高和多传感器信息融合技术的发展，迫切需求惯性小、响应迅速的温 度传感器。近年来，在微电子技术和微机械加工技术基础上发展起来的微机械传感器与传统传感器相 比，具有体积小重量轻的特点，其固有热容量小，使其在温度测量方面具有传统温度传感器不可比拟 的优势。 半导体测温功能的器件有pn结，双极晶体管，CMOS工艺下的寄生双极晶体管等，一种压阻式绝对 压力、温度、相对湿度传感器集成在单一芯片中，本文则描述采用扩散硅技术制作的温度传感器【ll。扩散 硅温度传感器是根据载流子的浓度以及迁移率都月截盛度的变化而变化研制。电流的热效应及其他集成参 数的环境对温度的影响很小，温度传感器嵌入到硅基底中，从而可以用于其他参数检测的温度补偿及温 度的输出。 2．原理 热阻温度变换器基于大多数材料的电阻(或电阻率)随温度变化而变化这一事实。半导体材料的电阻率可 以用下式表示： 1 p=—— ，lg以+PqPp 式中q是电子电量，以，P分别是掺杂Si中电子与空穴的浓度，‰，鳓分别是电子和空穴的迁移率。 对于P型硅而言【21， p兰也疗兰番 (2) 式中ni为本征半导体载流子浓度，M为掺杂离子浓度。 因而有P，z，故 +项目支持：国家自然科学基金(项目编号．国家863MEMS重大专项资助(2005AA404210)。 518 l p≈一 (3) PqP， 在本文温度测量范围内，根据图l可以认为载流子浓度不随温度变化而变化，而半导体迁移率随温度的 变化而变化。P型掺杂中载流子(空穴)的迁移率可以表示为【3，41： 旷54弼-0．57+丽横器赫 式中，死=粥DD，r为开氏温度，Ⅳ为掺杂浓度。 掺杂硼的硅的电阻率与温度的曲线如图2所示，掺杂浓度越高，则电阻率随温度的变化越小。因此应该选择 合适的掺杂浓度来达到合适的灵敏度。 图1 多数载流子与温度的关系 图2 P型掺杂Si的电阻率与温度的关系 3．结构与制作 半导体温度传感器采用是n型(100)Si制作，首先热氧化生成 800士5nm的Si02，然后通过离子注入硼离子形成P型掺杂电阻。掺 杂的剂量为210”／cm2，能量为80eV，结深为加2．51ma，最终方块 电阻为20--30DJC．集成式传感器中压力检测部分是利用半导体的 压阻效应，对于n型(100)硅而言，【110】晶向具有最大压阻系数，与 之成45。的晶向则有最小压阻系数【5】。因而压力部分采用[110】晶向 排列的电阻，温度检测部分采用[100]晶向排列。这样就可以避免压 力对温度产生干扰，具