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第一章 常用半导体器件 第一节 PN结及其单向导电性 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 第五节 场效应晶体管 第一节 PN结及其单向导电性 半导体的导电特点 PN结 第二节 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的主要参数 第三节 特殊二极管 稳压管 光敏二极管 发光二极管 第四节 晶体管 晶体管的基本结构和类型 晶体管的电流分配和放大原理 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管特性和参数的影响 第五节 场效应晶体管 N沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 MOS管的主要参数及使用注意事项 二、晶体管的电流分配和放大原理 １．放大条件 （１）内部特点决定 发射区产生大量载流子; 基区传送载流子; 集电区收集载流子。 （２）外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 返回 IE IC IB RB RC EB EC N N P 发射区电子 发射结正偏 利于发射区发射电子 基区 集电结反偏利于集电区收集电子 集电区 2. 电流分配 返回 少子的移动 IB RB EB IC RC EC IE 基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。 直流放大系数 交流放大系数 返回 1. 输入特性曲线 三、晶体管特性曲线 IB＝f (UBE) ︳UCE =常数 IB/ μA UBE /V UCE=0 UCE≥1 发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。 集电结反偏，IB 减小 UCE 1 IB 变化很小，与 UCE = 1 曲线重合。 返回 O 2．输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 截止区 IB≈0 ，IC≈0 ，UBE≤0 发射结反偏，集电结反偏。 放大区 IC＝βIB 发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 UCE≤UBE ，发射结、集电结正偏。 IC/ mA UCE /V IB＝0 IB＝20μA IB＝40μA IB＝60μA IB＝80μA 返回 O 2．极间反向电流 ICBO：发射极开路，基极与集电极间的反向饱和电流，受温度影响大。 ICEO：基极开路，集电极与发射极间的穿透电流。 四、晶体管主要参数 1． 放大倍数 返回 集电极最大电流ICM IC ICM 集电极—发射极反向击穿电压UCEO 基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。 UCE UCEO 集电极最大允许功耗PCM ICUCE PCM 3．极限参数 返回 五、温度对晶体管的影响 温度对ICEO、ICBO的影响 ICEO、 ICBO 随温度上升急剧增加，温度每升高10℃， ICBO约增加一倍。 温度对锗管的影响比较大。 温度对 β 的影响 温度增加， β 随之增加 。 3. 温度对 UBE 的影响 温度增加， UBE 随之减少 。 返回 例1：由晶体管各管脚电位判定晶体管属性 （1）? A: 1V B：0. 3V C: 3V （2 ）A: －0. 2V B: 0V C: －3V 如何区分硅管和锗管 如何区分NPN、PNP管 如何区分三个极 A. ︱UBE ︳≈0. 2V(锗管） ︱UBE ︳≈0. 7V(硅管） B. 步骤：1. 区分硅管、锗管，并确定C极（以 相近两个电极的电压差为依据， UBE硅＝0.7V ／UBE锗＝0.2V～0.3 V） 2. 区分NPN、PNP管 （NPN：VC最高 ， PNP： VC最低 ） 3. 区分三极 （ NPN： VC VB VE PNP： VC UB VE） 解： （1） 硅管 、NPN管 A：基极 ；B: