核磁共振波谱答案.pptVIP

（3）位移的表示方法 ③芳环的磁各向异性 芳香族化合物的环形π电子云。在B0作用下，形成大π电子环流，应生的 感应磁场，使苯环平面上 下两锥体为屏蔽区，其余 为去屏蔽区。(如图) 苯环质子处下去 屏蔽区，使质子共振 信号在低场出现。 苯环上1H：出现在 7.5左右。 常见结构单元化学位移范围 4.积分线 NMR图上可看到一些由左右呈阶梯形的曲线，此曲线为积分线。 积分线的高度代表了积分峰的面积.根据积分线的高度可计算出和各峰相对应的质子数。 例如：上图 C峰积分线高度24mm, 为2质子,x/24=5/(24+36) d峰积分线高度36mm, 为3质子,x/36=5/(24+36) 6.3自旋偶合与自旋裂分 每类氢核不总表现为单峰，有时多重峰。 原因：相邻两个氢核之间的自旋偶合（自旋干扰）； 1.自旋偶合与自旋裂分现象 如图：-CH3三重峰，CH2四重峰。 1H在磁场中有两种自旋取向 α表示氢核与磁场方向一致. β表示氢核与磁场方向相反. 乙基中-CH2的氢可以与磁场方向相同,也可与磁场方向相反.两个氢自旋组合共有四种(αα、ββ、αβ、βα）,产生三种局部磁场。 亚甲基所产生的三种局部磁场，影响邻近甲基上的质子所受到的磁场作用。 αβ和βα两种状态产生的磁场恰好相互抵消，不影响甲基的质子共振峰。 αα状态磁矩与外磁场一致，相当于-CH3上H处于去屏蔽区，发生共振时所需磁场比①小，出现在较低场。 ββ状态磁矩与外磁场相反，相当于-CH3上H处于屏蔽区，发生共振时所需磁场比①大，出现在较高场。 因此，-CH2的两个1H产生的三种不同的局部磁场，使邻近的甲基质子分裂为三重峰。 由于上述四种自旋组合概率相同。因此，三重峰相对面积比为：1:2:1。 同理，甲基上三 个氢产生四种不同的 局部磁场，反过来使 邻近亚甲基峰分裂为 四重峰，根据概率关 系，可知其面积比近 仅为1:3:3:1。(如图) 自旋裂分 上述这种相邻的自旋之间相互干扰作用称为自旋－自旋偶合，简称自旋偶合，由于自旋偶合，引起的谱线增多，这种现象叫自旋－自旋裂分，简称自旋裂分。 2、偶合常数 自旋偶合产生峰的裂分后,两峰间的间距称为偶合常数,单位Hz，用J表示 ①J的大小,表示偶合作用的强弱。J不因外BO变化而改变，外界条件（溶剂、T、浓度）等影响很小。 ②偶合作用通过成键电子传递的，因此， J的大小与两个（组)1H间键数有关，随着键数增加， J逐渐减小。 同碳偶合：间隔两个键；2j表示 邻碳偶合：相隔三个键；3j表示 远程偶合：相隔3个键以上。 一般来说，间隔4个单键或以上,J趋于0。 ③偶合是质子相互之间彼此作用的，因此互相偶合两组质子，偶合常数J相等。 ④J与取代基因，分子结构等因素有关。 ⑤等价质子或磁全同质子之间也有偶合，但不裂分，谱线仍为单－尖峰。 磁等价质子： 分子中一组氢 核，化学位移相同，且对任何一个原子核 的偶合常数都 相同。 3、一级图谱 规定： Δν/J10 弱偶合，属一级图谱 Δν/J10 强偶合，属高级图谱 一级图谱吸收峰数目、相对强度等遵守下列原则。 (1)一个峰被分裂成多重峰时，裂分峰可用(n+1)规律。 例如：二重峰表示相邻碳原子上有一个H，三重峰表示相邻碳原子有二个质子等。 (2)裂峰面积之比为二项式（a+b）n展开后各项系数。 例如: 二重峰1:1；三重峰：1:2:1； 四重峰：1:3:3:1。 例如： 右侧CH3质子与其它质子被三个以上键分开，因此观察到一个峰； 中间- CH2则有3+1=4重峰，面积比1:3:3:1； 左侧CH3，2+1＝3重峰，面积比1:2:1。 C CH CH O CH 3 2 3 6.4 复杂图谱的简化方法 高级谱，采用一些实验手段简化成一级图谱。 1、加大磁场强度 J不随外磁场变化而改变的，但Δν差值却随B0改变而改变。 因此，加大外磁场强度，Δν增大,Δν/J增大,直到Δν/J10可获得一级图谱。 2、双照射去偶法（称共振法） （1）双照射去偶法（具有双照射去偶器） 去偶原因： 辅助振荡器对Hb强烈照射时,使高能态Hb核饱和,不再产生净吸收,Hb峰消失,Ha只剩下一个单峰。 该法不仅可简化图谱,且可确立哪些核与去偶质子有偶合关系。 照射 Ha 照射 Hb （2）核奥佛好塞效应（简称NOE） 分子内存在空间位置上相互靠近的两个质子 Ha和 Hb