光伏材料制造设备原理和控制014409300619姚寒聪.docVIP

太阳能光电工程学院 《光伏材料制造设备原理与控制》 课程设计报告书 题 目：光伏材料制造设备的控制系统 姓 名： 姚寒聪 专 业： 10级光伏材料应用技术 班 级： 10级光伏材料应用技术自考3+1本科班 准考证号： 014409300599 设计成绩： 指导教师： 摘 要 单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.999％。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。 将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3毫米。硅片经过形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就硅片上形成P?/FONTN结。然后采用丝网印刷法，精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流。最后用框架和装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为18％左右，实验室成果也有24％以上的。 关键词 控制系统 参数设置 目 录 目 录 2 绪 言 3 第一章 生长主界面（CCD F1） 4 第二章 生长控制器界面（CGC F2） 6 第三章 生长速度系统界面（速度系统 F3） 9 第四章 生长温度系统界面（温度系统F4） 12 第五章 生长CCD系统界面（CCD F5） 13 第六章 数据记录界面（数据记录 F6） 14 第七章 系统界面（EXIT F7） 16 第八章 结束语 16 绪 言 晶体生长过程的参数设置、操作过程控制显示及系统参数由HX-ADC晶体生长控制系统柜上工业式计算机实现。计算机HMI（人机界面）采用15液晶触摸屏，可直观显示拉晶全过程，操作简单明了。通过显示画面的切换及相关操作来完成操作过程，控制系统的参数以曲线及文本方式进行显示和保存。 第一章 生长主界面（CCD F1） 界面说明： ①上标题栏从左至右分别是：晶体位置（mm）信号，坩埚位置(mm)信号， 件版本号及系统当前时间等信息。 ②下标题栏从左至右分别为：F1-F7界面切换按键。 ③界面中间部分为系统的运行参数及状态： ④左侧是系统主要运行参数，由上至下分别是晶升速度，晶转速度，埚升度，埚转速度，当前加热功率及温度信号，MFC（质量流量计）开度控制及流量显示，主室泵开度控制及显示，主炉室当前真空信号及系统报警提示栏。 ⑤主画面中为设备当前运行状态的直观显示，晶升上下限位，埚升上下限位，液压系统S1、S2限位，MFC V1、V2、V3充气阀开关，水路状态及当前水压，晶体直径显示及晶体重量显示（根据直径估算），主室阀电源开关，副室阀电源开关。 ⑥注：a.MFC、主泵电动球阀、副室电动球阀、水流量显示等功能适用于95炉高配版本。B.主室阀与副室阀电源需在球阀完全关闭的状态下关闭，以免在炉室内真空的状态下造成倒吸。 右侧是过程控制状态及操作按键 界面说明： ①该界面为投入自动控制界面，选择当前所需要的控制过程然后投入相应的自动控制程序。 ②控制程序有以下步骤：真空测试，加热，人工操作1，引细颈，放肩，收肩，等径，收尾，人工操作2，冷却，人工操作3。 ③“系统参数设置”是晶体生长控制系统的控制参数设置界面。 ④注： 全自动拉晶过程，需要配置CCD智能相机，如选用IRON控径仪，只能实现自动等径，收尾等过程。 第二章 生长控制器界面（CGC F2） 按【CGC F2】键进入晶体生长控制器界面。该界面显示晶体生长过程中的晶体生长控制器参数及控制器操作界面。【CGC F2】根据不同的操作过程有四个不同的操作界面，分别是细颈，放肩，收肩，等径。 界面说明： 界面的中