微电子器件第六章JFET概要.pptVIP

场效应晶体管 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 短栅器件的速度饱和效应 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 根据电流连续性原理，沟道中的电流应处处相等。因而在强电场下，虽然漏端沟道并未夹断，但漏极电流因受速度饱和效应限制不再随VDS上升而增加，在较低的漏源电压下提前达到饱和值，输出特性曲线则在更靠近坐标原点处提前拐弯。 ! 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 其中 表示某一固定栅压（VGS-VDS）下对应h2厚度的耗尽层的单位面积的电容（对称栅结构） 由于迁移率随电场强度的变化，使沟道载流子速度饱和，在沟道尚未夹断时，漏极电流（提前）饱和，跨导趋于常数，这一现象称为短栅器件的速度饱和效应。 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 漂移速度随电场的变化对漏极电流和跨导的影响 短栅器件的速度饱和效应 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 短栅器件的电流饱和 沟道漏端形成静电偶极层，承受漏极电流饱和后增加的漏极电压，并使沟道漏端不能夹断。 漏极电流 在长沟器件中(EEc)，由源端到漏端沟道厚度b(y)逐渐变小,而要保持ID不变，则需借助于增强电场以增大载流子漂移速度加以补偿，此时沟道中载流子浓度等于沟道掺杂浓度，无载流子的耗尽或积累。 b(y) 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 在短沟道器件中，当VDS使yc-L段EEc时，载流子速度不再随电场而增加，只有改变载流子密度来补偿沟道的变化，以维持电流的连续性。 在yc-L区间内将有n＞ND。但由于沟道在L处突然变宽，又导致在L’-L区间内n的下降(vsl不变)，对应某个b(y)值将有n＜ND。 因此在沟道漏端L’-L处出现静电偶极层。在L’左侧因电子的积累呈现负电性，而在L’右侧某处却因电子的耗尽呈现正电性。静电偶极层上的漏极压降将产生强电场，以维持载流子以饱和速度通过。 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 静电偶极层的出现将改变沟道上的电位分布，在L’左侧原先沟道最窄处积累的负电荷使该处栅结实际所承受的反向偏压减小，耗尽层收缩变窄，沟道反而有变宽的趋势。 漏源电压继续升高，栅结耗尽层宽度的收缩相应地向漏端扩展，速度饱和临界点yc向源端移动，速度饱和区加大，偶极层变厚，偶极层上承受的压降增加。 在短沟道器件中，当VDS增大到载流子速度达到饱和后，继续增加的漏源电压将降落在静电偶极层上，漏极电流也不再随VDS的上升而增大。由于速度饱和效应使漏极电流提前达到饱和，输出特性曲线上的拐点电压低于夹断电压。 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 对于用GaAs、InP这样具有微分迁移率区材料所制作的JFET或MESFET，在某些条件下存在着高场畴。图6-17所示的数值分析结果就是高场畴存在的很好证明。在VDS＝0.5V时最大场强未达到峰值速度场强(对GaAs为3.2kV/cm)，沟道中电场分布基本均匀； 随着VDS升高，高场畴形成。在畴形成过程中电场分布自动调整，畴内电场显著增强，畴外电场反而略微减小。 图6-17 短沟道GaAs MESFET中电 场分布随VDS的变化而变化 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 1.迁移率随场强上升而减小，导致漏极电流和跨导相对肖克莱模型减小，并随沟道场强而变化； 2.载流子达到极限漂移速度，使得漏极电流在沟道漏端夹断之前饱和，跨导趋于常数； 3.沟道漏端形成静电偶极层，承受漏极电流饱和后增加的漏极电压，并使沟道漏端不能夹断。 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 7. 关于沟道夹断和速度饱和的讨论 在上述讨论中，对于长沟道器件把迁移率视为常数，对于短沟道器件则考虑了迁移率随电场强度的变化，且以沟道夹断和速度饱和来区分二者电流饱和机制的差别。 在长沟道器件中只有在GCA成立的前提下，栅结势垒区的性质才能用一维泊松方程描述，势垒区上电位差等于Vp0时才恰好把沟道夹断。 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 7. 关于沟道夹断和速度饱和的讨论 已经证明：在沟道末端约a／2的长度范围内GCA是不成立的；即使一维泊松方程