模拟电子技术第3章第二部分题材.pptVIP

3. P沟道结型场效应管： 截止区（夹断区）： uGS UGS(off) 0 恒流区： 0 uGS UGS(off) ，并且uGD UGS(off) 可变电阻区： 0 uGS UGS(off) ，并且uGD UGS(off) 4. P沟道增强型MOS管： 截止区： uGS UGS(th) ,并且UGS(th) 0 恒流区： uGS UGS(th) ，并且uGD UGS(th) 可变电阻区： uGS UGS(th) ，并且uGD UGS(th) 注：耗尽型MOS管与结型场效应管相类似。 判断下列N沟道场效应管的管型和工作状态。 T1为N沟道结型场效应管，工作在截止区。 管号 UGS(off)或UGS(th) US UG UD 结型 T1 -3 3 -1 10 MOS T2 4 -2 3 -1.2 MOS T3 -3 0 0 10 T2为增强型N沟道MOS管，工作在可变电阻区。 T3为耗尽型N沟道MOS管，工作在恒流区。 例：已知场效应管的输出特性曲线如图,分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解：由T的输出特性可知其开启电压为5V，图示电路uGS＝uI。 当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。 当uI＝8V时，设T工作在恒流区，由输出特性得iD≈0.6mA，管压降 uDS≈VCC－iDRd≈10V uGD＝uGS－uDS≈－2V 小于开启电压，假设成立 当uI＝12V时，假设T工作在恒流区，由iD ≈3.8mA得： 即T工作在恒流区。 uDS≈-0.54V， uGD≈12.54V大于开启电压，T工作在可变电阻区。 五 .双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电阻 几十到几千欧 几兆欧以上 噪声 较大 较小 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 制造工艺 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 共E 共S 3.2. 场效应管放大电路（结型N沟道） + + + — — g T R d R g C 1 C 2 u o u i V DD d V GG s + + — — b T R c R b C 1 C 2 u o u i c V BB e + CC V 一.场效应管放大器的直流偏置电路 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 1.自偏压电路 UGS =- IDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路。 计算Q点：UGS 、 ID 、UDS 已知UP ，由 UGS = - IDR 可解出Q点的UGS 、 ID UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： ID 2.分压式自偏压电路 可解出Q点的UGS 、 ID 计算Q点： 已知UP ，由 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。 UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求：  如果输入信号很小， 场效应管工作在线性放大区（即输出特性中的恒流区）时，与三极管一样，可用小信号模型法进行动态分析。  将场效应管看成一个两端口网络，栅极与源极之间视为输入端口，漏极与源极之间视为输出端口。以N沟道耗尽型MOS管为例，可认为栅极电流为零，栅-源之间只有电压存在。漏极电流iD是栅源电压uGS和漏源电压uDS的函数 iD=f(uGS, uDS) 二. 场效应管的交流小信号模型 对上式求iD的全微分可得 式中 iD=f(uGS, uDS) 从场效应管的特性曲线可知，当小信号作用时，管子的电压、 电流在Q点附近变化，因此可认为在Q点附近的特性是线性的， 则gm和rds近似为常数。用正弦相量 取代变化量diD、 duGS、duDS，上式可写成： 由此可构造出场效应管的小信号模型。图中栅-源之间只有一个栅源电压 ，没有栅极电流；漏-源之间是一个受电压控制的电流源和电阻rds相并联。 场效应管的小信号模型 (a) N沟道耗尽型MOSFET； (b) 小信号模型 由转移特性可知，gm是UDS=UDSQ那条转移特性曲线上以Q点为切点的切线斜率。在小信号作用时，可用切线来等效Q点附近的曲线，由于gm是输出电流与输入电压的比值，故称为跨导，其单位为西门子（S）， 一般gm数值约为0.1~20 mS。从输出特性可知，rds是UGS=UGSQ那条输出特性曲线上Q点处斜率的倒数，它表示曲线的上翘程度，rds