电工电子技术第11章分解.ppt

存储器学习要点 正常工作时ROM只能读出不能写入； 电源断开时，ROM中的信息仍然保留不会丢失； G3 = B3 G2 = B3B2 + B3B2 G1 = B2B1 + B2B1 G0 = B1B0 + B1B0 * 上一张幻灯片 下一张幻灯片 返回第一张 上一张幻灯片 下一张幻灯片 返回第一张 * 制作 曾令琴 2004年12月 随机存取存储器RAM 可编程逻辑器件 第二篇 11.2 可编程逻辑器件 11.1 随机存取存储器（RAM） 第二篇 了解随机存取存储器RAM的功能与结构特点； 了解 可编程逻辑器件的结构、原理及编程方式 第二篇 存储矩阵 读 写 控 制 器 行 地 址 译 码 器 列地址译码器 m位 数据 2n RAM电路结构框图 m R/W CS 输出控制 n位 地址码 RAM电路是一种能够随时选择任一存储单元存入或取出数据的存储器，通常称作“读/写存储器”。 11.1 随机存取存储器RAM 1功能与结构 第2页 RAM中的每个寄存器都有一个编号，称为地址。每次读/写信息时，只能和某一个指定地址的寄存器之间进行取出或是存入，此过程称为访问存储器。访问地址的是机器识别的二进制数，送给地址译码器译码后，由相应输出线给出信号，控制被选中的寄存器与存储器的I/O端子，使其进行读/写操作。 地址译码器 第2页 读写控制器 读/写控制线对RAM究竟是读还是写进行控制。例如R/W＝“0”时，执行写操作，R/W＝“1”时，执行读操作；由地址输入端输入的n 位地址码经地址译码器译码后选中一组（信息长度m 位）存储单元，m位的二进制代码经I/O 接口被写入或被读出。 第2页 I/O控制 为了节省器件引脚的数目，数据的输入和输出共用相同的引脚（I/O）。读出时它们是输出端，写入时它们又是输入端，即一线二用，由读/写控制线控制。I/O端子数决定于一个地址中寄存器的位数。通常RAM中寄存器有五种输入信号和一种输出信号：地址输入信号、读/写（R/W）控制输入信号、输出控制（OE）信号、片选（CS）控制输入信号、数据输入信号和数据输出信号。 第2页 片选控制 由于集成度的限制，通常要把许多片RAM组装在一起构成一台计算机的存储器。当CPU访问存储器时，存储器中只允许一片RAM中的一个地址与CPU交换信息，其它片RAM不能与CPU发生联系，所谓片选就是实现这种控制的。通常一片RAM有一根或几根片选线，当某一片的片选线为有效电平时，则该片被选中，地址译码器的输出信号控制该片某个地址与CPU接通；片选线为无效电平时，与CPU之间呈断开状态。例如片选信号CS＝“1”时，RAM被禁止读写，处于保持状态，I/O口的三态门处于高阻抗状态；CS＝“0”时，RAM可在读/写控制输入R/W的作用下作读出或写入操作。 第2页 存储矩阵 RAM中的存储单元因排列成矩阵形式而得名存储矩阵。地址译码器的输出控制存储矩阵与I/O端的连接，凡是被选中的单元就接通，没有选中的均处于断开状态。 存储器的容量由地址码的位数n和字长的位数m决定，当地址码的位数为n、字长的位数为m时，存储器内含2n×m个存储单元。其容量为2n×m 。通常210＝1024字称为1K个字节。为了方便，存储器的容量常用几K×字长表示。 第2页 2. RAM的存储单元电路 存储单元是RAM的核心部分。按功能的不同可分为静态和动态两类，按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双极型存储单元速度高，单极型存储单元功耗低、容量大。在要求存取速度快的场合常用双极型RAM电路，但对速度要求不高时，常用单极型存储器。我们以单极型存储器为例介绍RAM的工作原理。 控制电路 Xi 静态RAM存储单元 T6 T4 T3 T2 T1 T5 Q Q UDD 1位线 0位线 行选择线 第2页 T6 T4 T3 T2 T1 T5 Q Q UDD 1位线 0位线 行选择线 图中T1和T2，T3、和T4分别构成两个反相器。两个反相器交叉耦合又构成了基本触发器，作为储存信号的单元，Q＝１时为“1”态，Q＝0时为“0”态。T5和T6是门控管，其导通和截止均受行选择线控制。 六管静态存储单元 CMOS 第2页 T6 T4 T3 T2 T1 T5 Q Q UDD 1位线 0位线 行选择线 行选择线为高电平时，T5、T6导通，触发器输出端与位线接通，此时通过位选择线对存储单元操作。在读控制R信号作用下，可将基本触发器存储的数据输出。如Q＝１时，1位线输出1，0位线输出0。根据两条线上的电位高低就可知道该存储单元的数据（0位线的电位经非门后取出）。在写控制信号