化学镀技术在超大规模集成电路互连线制造过程的应用.pdfVIP

化学镀技术在超大规模集成电路互连线制造过程的应用 王增林”，刘志鹃1，姜洪艳’王秀文1，新宫原正三2 (1．陕西师范大学化学与材料科学学院，陕西西安，710062； 2．关西大学工学部机械工学科，日本大阪，5648680) 摘要：本文结合作者多年研究成果，总结自”大马士革铜工艺”提出以来，电化学工作者利用化 学镀技术围绕该工艺而开展的一系列相关研究，介绍了用化学镀法沉积镍三元合金防扩散层 及化学镀铜种子层的研究工作；并重点介绍了作者等提出的超级化学镀铜和离子束沉积法 Cluster (IonizedBeam，ICB)形成Pd催化层后的化学镀铜技术．简要叙述化学镀铜技术在超大 规模集成电路中的应用，总结化学镀铜技术的研究进展，并指出了今后的发展方向． 关键词：化学镀铜；超级化学镀；大马士革铜互连线；种子层；防扩散层 中图分类号：TQl53．1+4 文献标识码：A 随着全球竞争压力的不断增加和信息产业的发展，对大存储量、小体积、轻量化的半导 体集成电路(半导体芯片)的要求也不断提高，从而作为微系统核心部件的存储密度也在不断 增加，用于连接每一个信息点的互连线宽度也越来越小．当芯片中互连线的宽度在0．13lain 以下时，RC延迟溆为芯片中用于连接各个功能点的互连线的电阻，c为基板的电容)成为影 响半导体芯片速度的主要因素．为了解决RC信号延迟，人们采取三种方法：(1)改进和完善 集成电路设计方案，尽量减少连接导线的长度，从而降低导线电阻．(2)使用低电阻率(F)的 基材，即Low—K材料以降低基材的电容．关于Low．K材料的研究，是近年来半导体材料的一 ElectronDevices 个热点领域，每年相关的国际会议，如International IntemationalInterconnect StateDevicesandMaterials TechnologyConference(IITC)，Solid Metallization (SSDM)，以及Advanced 线代替铝线以降低导线电阻．由于铜的电阻率为1．68Q．cm，比铝的电阻率(2．78f1．cm)低了 40％，同时铜具有非常好的抗电子迁移性能，有利于提高芯片的可靠性．因此，1995年IBM率 先提出用铜线代替铝线作为半导体集成电路的互连线方案，并于1998年推出第一个用铜互 连线制作的新一代半导体芯片u’“． 1大马士革铜互连线工艺 图1表示了大马士革铜互连线工艺过程，主要由四步组成．首先，在二氧化硅的基材上， 1a)．然后，在基板和道沟的表面形成防扩散层和种子层(如图lb)。由于铜的自由电子在加热 的情况下易于向二氧化硅／硅基材扩散，从而影响半导体的特性．为了阻止铜的自由电子向二 氧化硅／硅扩散，需要在金属铜膜和二氧化硅膜之间加上一层防扩散层，如TaN、TiN、WN 等口咱1．由于TaN防扩散层电阻率比较大，不能直接实现均匀的电化学镀铜，故需在防扩层表 面形成一铜层作为导电或种子层．防扩散层和铜种子层一般采用真空溅射(sputtering)或物理 气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)形成．然后在铜种子层上再电化学镀铜填充道沟( 收稿日期：2005-11-25 +通讯作者：Tel．029e-maii：wangzl@snnu．edu．ca 国家自然科学基金资助 38 图1大马士革铜互连线工艺过程a)道沟连接孔的形成；b)防扩散层和 铜种子层的形成；c)电化学镀铜填充；d)化学机械抛光 Damascenefor interconnectionsandvia Fig．1 processcopper a)仃ench definition；b) barrierand seedlayerdeposition；c)electroplating；d)CMPprocess 如图1c)．为 ‘(钏k撇)