半导体相变存储材料研究进展.pdfVIP

型—璺■整兰量堡!!变褒堡盟整型塞蓬垦 !垫 半导体相变存储材料研究进展。 闰风，朱铁军，赵新兵 (浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室，浙江杭州310027) 摘要：相变存储器具有非易失性、长循环寿命、低 的关系曲线oo。当材料处于晶态时，c—v曲线符合 功耗、低成本、元件尺寸可纳米化、高速读取、多级存 欧姆定律，呈线性关系；在脉冲电流产生的焦耳热的作 储、以及与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点，被认 用下，晶态材料熔化并迅速冷却为非晶态，材料的C— 为是最有可能的下一代存储器。文章介绍了相变存储 V曲线呈现两种形式：临界域值电压v。以前，非晶态 材料的特点，工作原理，相变材料结构及面临的技术难 电阻很高，当电压达到域值y，。时，进一步提高Set电 题。 流，材料逐渐转变为晶态但并不开始熔化，该过程中可 关键词：相变存储器；相变存储材料；材料结构 以实现信息的擦除。在更高的Reset电流的作用下， 中图分类号：TN40 文献标识码：A 材料熔化，快速冷却变为非晶态，实现信息的写人。在 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0329一04 低压状态，利用一个小于Set的脉冲电流来实现信息 的读取。相变存储器通过改变脉冲电流的方式使相变 1引盲 材料在不同阻值之间进行转换。完成信息的擦出、写入 硫系化合物半导体材料在电场作用下存在不同电 和读取操作过程。 阻状态快速可逆转换现象，是由s．R．Ovshinsky于 1968年首次发现[1]。基于此效应开发的相变随机存 RandomAccessMeiil— 储器PCRAM(Phase—Change United ory)也称为奥弗辛斯基统一存储器(0vonic Memory，OUM)，具有非易失性、循环寿命长、低功 耗、器件可纳米化、高速读取、多级存储、强抗辐射能 力、耐高低温、与现有集成电路工艺相兼容等优点，是 最有可能取代目前使用的SRAM、DRAM和FLASH 等非易失性存储器主流产品的下一代半导体存储 器“]。然而长期以来由于制造技术和工艺的限制，相 1 The Fig operationprinciple 变存储材料多用作光存储介质如CD，DVD光盘等。 basedon 近年来，随着半导体技术的进步及商业需要，许多大的 phasechanges 半导体芯片厂商如Intel，Panasonic，Philips，Sam— sung，Ovonyx，Infineon等将注意力转移到PCRAM 和进一步改善相变存储材料自身性能上，并为此投人 大量资金和人力，研制具有综合优良性能的存储材 料o“]，相变存储材料因此进入快速发展时期。 一《E=lJno 2相变存储材料工作原理 相变随机存储器中相变材料利用电流焦耳热使相 变存储材料在晶态(低电阻)与非晶态(高电阻)之间相 圈2相变存储材料的典型的I—V曲线 互转换实现信息写入与擦除操作。图1为相变随机存 r—Vcurveofthece