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第二章 纳米技术基础
Contents
2.5 纳米电子结构
2.6 纳米技术的卓越成就简介
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围或由它们作为基本结构单元构成的材料。
基本单元按维数分:
二维:空间有一维处在纳米尺度,如超薄膜,多层膜,超晶格等。
一维:空间有两维处在纳米尺度,如纳米丝,纳米棒,纳米管等。
零维:空间三维均处在纳米尺度,如纳米尺度颗粒,原子团簇等。
2.5 纳米电子结构
2D纳米结构就是指在三维空间里有一维处在纳米尺度的结构。
以二维电子气系统为例:
2.5.1 2D纳米结构
二维电子系统主要研究对象是上图中提到的化合物半导体异质结构中的二维电子气(Two Dimensional Electron Gas,2DEG)系统。即在GaAs与AlGaAs的界面处形成薄的导电2DEG层。
两个能隙宽度不同的半导体材料刚开始接触时,宽带隙材料的费米能级高于窄带隙材料的费米能级,结果电子从宽带隙材料中溢出,使其仅剩下正电荷,即施主离子。这些空间电荷产生静电势,他将引起界面能带弯曲,平衡以后费米能级相等。电子密度在界面处有一个尖锐的峰,电子的费米能级进入导带中,形成一层薄的导电层,称为二维电子气。
这种结构的重要性主要体现在制造场效应晶体管等高电子迁移率电子器件中,例如调制掺杂场效应晶体管,高电子迁移率晶体管等
纳米薄膜是指有尺寸在纳米量级的晶粒构成的薄膜,或将纳米晶粒镶嵌于某种薄膜中构成的复合物,以及每层厚度在纳米量级的单层货多层膜,有时也称为纳米晶粒薄膜或纳米多成膜。纳米薄膜的分类有很多种,例如,按结构、按用途、按层数划分。下面以用途划分为例来介绍纳米薄膜的种类。
纳米薄膜按用途分类可分为纳米功能薄膜和纳米结构薄膜。前者主要利用纳米粒子所具有的光、电、磁方面的特性,通过复合使新材料具有基体所不具备的特殊功能;后者主要是通过纳米粒子复合,提高材料在机械方面的性能。由于纳米技术的组成、性能、工艺条件等参数的变化都对复合薄膜的特性有显著影响,因此可以在较多自由度下,人为的控制纳米复合薄膜的特性,获得满足一定需要的材料。
1D纳米结构就是指在三维空间里有两维处在纳米尺度的结构。
在2DEG的另一个方向加以限制,比如y方向,就可以形成所谓的量子线,这是准一维限制系统。
2.5.2 1D纳米结构
金属电极是负电压偏置,以截断或耗尽栅下面的2DEG,在两个电极之间留下一个窄的未耗尽的通道,当栅极电压偏置更负时,会有效地压缩一维通道,直到最终这个区域所有的载流子耗尽。
分裂栅结构的限制作用是用“软”势(静电势)使载流子耗尽,横向限制势将电子限制在电极之间的空间,使电子的能量离散化。
一维纳米材料可以根据其空心或实心,以及形貌不同,分为:
纳米管
纳米棒或者纳米线
纳米带以及纳米同轴电缆等
纳米管的典型代表就是纳米碳管,它可以看作有单层或者多层石墨面按照一定规则卷绕而成的无缝管状结构。
纳米棒一般是指长度较短、纵向形态较直的一维圆柱状(或其横截面呈多角状)实心纳米材料。(金纳米棒)
纳米线是指长度较长,形貌表现为直的或弯曲的一维实心纳米材料。(银纳米线)
纳米带与以上2种纳米结构存在较大的差别,其截面不同于纳米管或纳米线的接近圆形,而是呈现四边形,其宽厚比分布范围一般为几到几十。纳米带的典型代表为氧化物,如ZnO等。
纳米同轴电缆是指径向在纳米尺度的核/壳准一结构,其代表产物有SiC/SiO2等
纳米同轴电缆的电极材料及其形成的三维导电网络
0D纳米结构就是指在三维空间里有三维都处在纳米尺度的结构。
所谓的量子点就是一个零维系统,典型的量子点是在半导体材料中限定的一个尺度为100nm的小区域。
点意味着是空间极小的一个区域,可是一个半导体制造的量子点中大约有百万个原子及等量的电子。大多数电子紧紧束缚在核周围,自由电子的数目却非常少,在一个到百万个电子之间。
量子点具有另外一个特性,称为充电能,类似于离子的电离能。这是给点中添加或取出一个电子所需要的能量。量子点类似于真实原子,量子点也称为人造原子。
2.5.3 0D纳米结构
零维纳米结构单元的种类:纳米粒子、超细粒子、超细粉、烟粒子、人造原子、量子点、原子团簇,他们之间不同之处在于各自尺寸范围稍有区别。
1.团簇:
指几个至几百个原子聚集体(粒子半径小于或者等于1nm)。
它介于单个原子和固体之间。
分类:金属原子团簇和非金属原子团簇
非金属原子团簇:碳簇(富勒烯C60,C70等)和非碳簇等。
2.人造原子
所谓人造原子是由一定数量的实际原子组成的聚集体,它们的尺寸小于100nm。
由于量子局限效应会导致类似
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