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复习要点(Emphasis of revision) 考试是以PPT和上述参考书内容为主。 试题一共10题，有一半简单计算一半概念题。 试题内容包含在上述复习要点中。 的部分为重点复习内容 PPT第二讲 (英文参考书第二章） 原子结构的回顾 电子，质子，中子，原子的量子力学，电子态，周期表 固体中的原子键合 键能 键能（Bond Energy）通常是指在101.3KPa和298K下将1mol气态分子拆开成气态原子时，每个键所需能量的平均值，键能用E表示。是表征化学键强度的物理量，可以用键断裂时所需的能量大小来衡量。 二次键（范德华力） PPT第三讲 (英文参考书第三章） 结构基元：通过周期性重复排列而组成晶体的最基本的重复单元。 晶体结构 面心立方结构，体心立方结构，六角密堆结构 原子堆积因素 原子堆积系数APF=原子总体积／结构基元体积 配位数：相邻原子周围没有电子轨道重叠的参考原子（离子）的数量。 （1）面心立方结构： 配位数CN=12 每个结构基元的原子数，n=4 面上：6×1／2=3 角上原子数：8×1／8=1 原子堆积系数APF=0.68 总体积: 结构基元的体积: （2）体心立方结构： a=4R√3 配位数CN=8 每个结构基元的原子 数，n=2 中间原子数：1×1=1 角上原子数：8×1／8=1 原子堆积系数APF=0.68 （3）六角密堆结构：  配位数CN=12 每个结构基元的原子数，n=6 中间原子数：1×3=3 角上原子数：12×1／6=2 角上原子数：2×1／2=1 原子堆积系数APF=0.7原子堆积系数 密度计算： 其中：Vc=a3(FCC和BCC)， a=2R√2(FCC)；a=4R√3(BCC)；n—原子中的结构基元数；A---分子量；NA=6.023×1023atoms/mol. 晶面指数 结晶取向 PPT第四讲 (英文参考书第四、五章） 点缺陷：包括（空缺，间隙，杂质）晶体中的点缺陷是在晶体晶格结点上或邻近区域偏离其正常结构的一种缺陷。 空缺数目 NV=NSexp(-QV/KBT), NS:规则晶格位置的数目；QV：形成完整晶格空位所需的能量；KB：玻尔兹曼常量；T：开尔文温度 位错：晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。 位错对材料的力学性能如塑性形变、强度、断裂等起着决定性作用，对材料的扩散、相变过程有较大影响。 位错分类：刃位错、螺位错螺位错 晶界 ：晶界是结构相同而取向不同晶体之间的界面。 D:扩散系数，单位为m2·s-1；C：扩散组元的体积浓度，单位为㎏·m-3或mol·m-3； 菲克第二定律：在非稳态扩散过程中，在距离x处，浓度随时间的变化率等于该处的扩散通量随距离变化率的负值，即将代入上式，得如果扩散系数D与浓度无关，则式可以写成 PPT第五讲 (英文参考书第六章） 应力和应变 张力:受到拉力作用时，物体内部任一截面两侧存在的相互牵引力。 弹性模量 材料在弹性变形阶段内，正应力和对应的正应变的比值。泊松比 材料在单向受拉或受压时，横向正应变与轴向正应变的绝对值的比值。 PPT第六讲 (英文参考书第七章） 脱位和塑性变形 塑性变形：材料在外力作用下产生而在外力去除后不能恢复的那部分变形 加强机制 减少晶粒尺寸 晶界是位错运动的障碍：小角度晶界阻止位错效果不大；大角度晶界阻止滑移，增加材料的强度。 固溶强化 填隙式或替代式杂质引起晶格应变，因此，这些杂质与位错应变场作用，阻止了位错运动。 应变硬化 通过增加位错密度来增强。 在适当熔点以下的塑性形变，使韧性金属变强。 应变硬化的原因：塑性形变使位错密度增加。 回复、再结晶和晶粒长大 当外力移除，大部分位错、晶粒变形和应变能被保留了。 冷加工前的恢复原状可通过热处理实现，包括两个过程：修复和重结晶。然后是晶畴生长。 修复过程：加热-增加扩散-增加位错运动-减少位错密度，形成低能位错结构-减少内部应变能 重结晶:固态金属及合金在加热(或冷却)通过相变点时，从一种晶体结构转变为另一种晶体结构的过程。 PPT第七讲 (英文参考书第八章） 韧性与脆性断裂 脆性固体的断裂强度与原子间的凝聚力有关。 韧性材料 - 广泛的塑性变形和断裂前能量吸收（“韧性”）? 脆性材料 - 小的塑性变形和断裂前的低能量吸收 脆性断裂过程：无明显的塑性变形 →?裂纹扩展速度非常快 → 裂缝传播几乎垂直于外加应力方向?→ 裂缝往往沿原子键的特定晶面解理面方向传播裂解。 断裂力学的原理 应力集中 对于一个长的裂缝面向垂直外加应力裂纹尖端附近的最大应力是： 其中：σ0—外加应力，a—裂缝的半长，ρT—裂纹尖端的曲率半径。 （注意，a是内部缺陷的半长，是表面缺陷的全长） 应力集中系数是：