项目3.2基础电路的测判概要.ppt

当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 * 基础电路状态的测判 1、晶体管组成的放大电路 2、绝缘栅场效应管组成的放大电路 3、集成运算放大器 4、基础的数字电路 ①截止状态：该状态下，三极管的偏置使发射结处于截止状态，NPN管UBE0.5v，PNP管UEB0.5v；基极电流为零，集电极电流近视为零，集电极与发射极间呈现很大的电阻，等效于开关断开。 ②放大状态：该状态下，发射结正偏（UP＞UN），集电结反偏（UP＜UN），NPN管各极电压关系有UC＞UB＞UE，PNP管各极电压关系有UE＞UB＞UC；基极电流不为零，集电极电流不为零并且受控于基极电流，集电极与发射极间等效为一个受控电流源。 ③饱和状态：该状态下，发射结和集电结都正偏，NPN管UBE＞0.7 v ,0UCE0.7 v即UBC＞0，PNP管UEB＞0.7 v，0UEC0.7 v即UCB＞0；基极电流不为零，集电极电流较大且不受控于基极电流，集电极与发射极间呈现很小的电阻，等效于开关闭合。 1、晶体管组成的放大电路 二 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 ＋ － u-－ u+ uo 三 集成运算放大器符号 国际符号： 国内符号： 集成运放的特点： 电压增益高 输入电阻大 输出电阻小 反相输入端 同相输入端 输出端 运放的电压传输特性： 设：电源电压±VCC=±10V。 运放的Aod=104 │Ui│≤1mV时，运放处于线性区。 Aod越大，线性区越小， 当Aod →∞时，线性区→0 0 uo ui +10V -10V +Uom -Uom -1mV +1mV 线性区 非线性区 非线性区 +10V -10V +Uom -Uom 0 uo ui *