第六章放大器的频率特性解说.ppt

6.5 源跟随器的频率特性 通过前面讲过的方法，假定其中一个极点较远，那么可以获得 系统的一个主要极点的频率。 * 6.5 源跟随器的频率特性 源跟随器输入阻抗： 输入阻抗中CGD与输入并联，可以暂不考 虑。由左图 其中输入电容，与密勒等效得到的结果一致。 * 6.5 源跟随器的频率特性 * 6.5 源跟随器的频率特性 源跟随器输出阻抗： 低频时 低频时 高频时 考虑到源跟随低频下低输出阻抗情况，(c)所示的情形更容易发生。也就是说阻抗随着频率的增加而增加。由此考虑到该阻抗可能呈感性。下面我们用建模的方式找到这个电感。 * 6.5 源跟随器的频率特性 用下面的模型对源跟随器的输出阻抗重新建模 令这一模型满足 那么： 从前面分析的输出阻抗得到 源跟随器的输出阻抗表现出了电感特性。 * 6.6 共栅极的频率特性 根据课本例6.4估算的共栅极传输函数，(未考虑沟道调制) 极点中不包含被密勒乘积项放大的电容，因 此该类电路具有较好的带宽。 * 6.6 共栅极的频率特性 如果考虑沟道调制效应，那么的输入阻抗为 为了书写方便，该阻抗中未考虑源端电容。可见输入阻抗与负载阻抗由于有限的沟道电阻的存在而产生了密切的联系， 此时不能再将输入输出分离进行各自结点上极点的估算。下面通过一个例题做进一步的分析。 * 6.6 共栅极的频率特性 例 计算下面电路的传输函数和输入阻抗。并解释当CL增大时， 为什么Zin会变得与CL无关。 频率较低的情况下增益为 与式3.113一致 只需将体效应参数加入就可以获得考虑体效应的情况。 * 6.6 共栅极的频率特性 解释当CL增大时，为什么Zin会变得与CL无关。 当频率增加或CL增大时，Zin逐渐趋近 而与CL无关。 直观来看由于CL增大或频率增加都会使增益变小，在例题6.2当中 由于沟道电阻密勒效应引起的负电阻效应逐渐消失。 * 6.7 共源共栅极的频率特性 通过前面的学习大家了解到，共栅极的传输函数中不存在电容 的密勒项，输入极点相对较大，共栅极也因此具有高速的特性。 那么本节要讲到的共源共栅极，就是将共源级和共栅极级联，是不是具备了高增益和高速特性呢？如不考虑沟道调制，或者RD比较小，认为M1，M2的尺寸大致相同，则 输入端的密勒等效电容，大约为CGD1 的两倍，而不是原先的那么大。因此 电路带宽有所改善。 * 6.7 共源共栅极的频率特性 可写出A,X,Y点的极点。 一般情况下会使X点的极点距离原点 较远以保证系统稳定(第10章将有相关 讲解)。 但是，大家知道如果RD很大，将会导 致X点看到的阻抗大大增加，那么相应 极点也会大幅减小。我们通过例题来 看一下是不是这种情况？ * 6.7 共源共栅极的频率特性 例 采用电流源作负载(a)，忽略与M1有关的各个电容。计算传输函数 将输入及M1作诺顿等效，用 一个对地的小信号电流来代替。 * 6.7 共源共栅极的频率特性 极点的值仍然为 并没有因为电流源作负载而减小。 这一点同样是因为CY降低了共栅级的增益，使ro的密勒效应 受到了抑制，因此，X点的阻抗并未增大太多。简单理解，CY 并联到了输出结点，在高频情况下可以负载所在通路呈现低 阻抗。 另外共源共栅级的输出阻抗也是变化的(按照前面学过的公式) * 说明频率在越过输出阻抗极点 之后，会渐渐变小。这里还没有考虑CY的影响。 * 本章结束，谢谢!! * CMOS模拟集成电路设计 Copyright ? 2014, zhengran 第六章 放大器的频率特性 CMOS模拟集成电路设计 Copyright ? 2014, zhengran 第六章 放大器的频率特性 CMOS模拟集成电路设计Design of Analog CMOS Integrated Circuit 2016年4月 郑然 zhengran@nwpu.edu.cn 西北工业大学航空微电子中心 嵌入式系统集成教育部工程研究中心 30* * 本章内容 第六章 放大器的频率特性 * 本章内容 6.1 密勒效应 6.2 传输函数估算 6.3 共源级的频率特性 6.4 差动对的频率特性 6.5 源跟随器的频率特性 6.6 共栅级的频率特性 6.7 共源共栅级的频率特性 * 引言 本章之前，我们研究了一些类型的放大器，但都局限于其低频特性。忽略了器件电容及负载电容的影响。事实上，模拟电路决定电路速度的频率特性，与电路的其他性能增益、功耗和噪声等是互相制约的。本章就是要深入学习一下各种电路的频率特性，从而更进一步的了解电路各性能指标之间的制约关系。 * * 6.1 密勒效应 密勒效应(密勒定理) 利用电流相等的关系，将