第六章微机原理解说.pptVIP

第6章 存储器 6.1 概述 6.1.1 存储器的分类 　　按信息存储方式，半导体存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 随机存取存储器RAM－－计算机在运行期间，这种存储器中　　　　　　　　　　　　 的信息可随时读出或写入。 只读存储器ROM－－机器运行期间其信息只能读出不能写入。 　　根据信息写入的方式，常用的ROM类型有：掩膜式ROM、可编程ROM、可擦除PROM、电可擦除PROM、快速整体电擦除 ?　　　　　　　　　　　　双极型RAM 　　　 随机存取存储器 　　　 静态RAM 　　　　　　 （RAM） 　 MOS型RAM 半导体　　　　　　　　　　　　　　　动态RAM 存储体 　　　　　　　　 掩膜式ROM 　　　　　　　　　　　　 可编程（PROM） 　　　　　　 只读存储器 紫外线可擦除PROM（EPROM） 　　　　　 （ROM） 　 电可擦除PROM（E2PROM） 　　　　　　　　 闪速存储器FLASH MEMORY ? 图6-1 半导体存储器的分类 6.1.2 半导体存储器的性能指标 1、存储容量 2、存取速度 内存储器的存取速度一般用最大存取时间或存取周期来描述。 3、功耗 半导体存储器的功耗包括“维持功耗”和“操作功耗”。 4、可靠性 可靠性一般是指存储器抗外界电磁场、温度等因素变化干扰的能力。 5、价格 6.2 随机存取存储器RAM 包括静态RAM和动态RAM 6.2.1 半导体存储器一般结构及组成 1、存储矩阵 基本电路——能够寄存二进制信息的电路 存储体——基本电路的集合体 2、地址译码器 （1）单译码方式 （2）双译码方式 3、存储器控制电路 读写控制信号有以下几种表示方法： （1）OD( Output Disable ) 输出禁止引线端。高 （2）OE(Output Disable) 输出开放引线端。 （3）R/　　（Read/Write）读/写控制引线端。 （4）　　写开放引线端，低电平有效时，数据总线上的数据被写入被寻址的单元。 4、三态双向缓冲器 6.2.2 静态RAM 1、NMOS静态基本存储电路 　（1）NMOS静态基本存储电路 　1）NMOS静态基本存储电路的组成 2）NMOS静态基本存储电路的工作过程 ①静止状态 ② 读出操作 ③写入操作 （2）、CMOS静态基本存储电路 1）CMOS静态基本存储电路的组成 　　　　　图6-6 COMS基本存储电路 2）CMOS静态基本存储电路工作过程 2、静态RAM的电路结构 　　　　　　图6-7 静态RAM芯片的结构示意图 3、静态RAM芯片举例 表6-1 6116的控制方式功能表 6.2.3 动态RAM 1、动态基本存储电路 (1) 动态基本存储电路的基本组成 （2）动态基本存储电路的操作过程 2、动态存储器芯片举例 3、动态存储器的刷新方式 　　CPU利用刷新周期进行刷新操作，刷新周期往往与读/写周期相等。根据刷新周期时间的不同，通常有三种刷新方式： （1）定时集中刷新方式。 （2）非同步的刷新方式。 （3）同步刷新方式。 4、同步刷新方式实例 6.2.4 RAM存储容量的扩展方法 1、位扩展方式 2、字扩展方式 　　　　图6-11 位扩展方式连接方式 3、字位扩展方式 　　　　　　图6-12 字扩充连接方式 6.2.5 RAM存储器与CPU的连接 　　　图6-13 用2114芯片组组成4096 ×8存储器 1、数据总线的连接 2、地址总线的连接 3、控制总线的连接 6.3 只读存储器ROM 6.3.1 只读存储器的结构 图6-15 ROM的结构框图 6.3.2 只读存储器的分类 只读存储器ROM常分为下列三种： 1、掩模式ROM 2、现场编程ROM 3、可改写的PROM 6.3.3 PROM基本存储电路 6.3.4 典型PROM芯片 6.4 高速缓存存储器Cache 6.4.1 Cache存储器原理 1、原理 2、Cache的命中率 6.4.2 Cache存储器组织 1、地址映像 （2）全相联映像 （3）组相联映像 2、替换算法 (1) 先进先出算法（FIFO） (2) 近期最少使用算法（LRU） (3) 随机替换法（RA