基于场效应管的高压纳秒宽脉冲源技术研究.pdfVIP

第三届全国信息与电子工程学术会议、四川省电子学会曙光分会第十四届学术年会暨院青年科协第八届学术年会论文集 233 基于场效应管的高压纳秒宽脉冲源技术研究 陈 静。陈敏德 刘文红 (中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900) 摘要介绍采用固体器件为核心器件，实现替代国外氢闸流管部分用途的功能。以仿真与实 验相结合的方法研究过驱动技术，以提高大功率MOS型场效应管的开关速度，并结合高速触发控制 和大功率脉冲功率合成等快电子学技术，研制成了在许多研究领域中都需要的输出幅度大于4000V， 前沿小于lons，脉宽为lOOns的高压宽脉冲的快信号源． 关键词过驱动MOS型场效应管纳秒高压宽脉冲 1 引言 高速高压脉冲源在强激光，加速器和电磁辐射等研究领域均有广泛应用。高压纳秒级窄脉冲源 产生器，利弗莫尔国家实验室用固体开关研制了上升时间lOOps幅度8kV脉宽数纳秒的产生器，但 价格贵且难以买到。高速高压宽脉冲源美国与俄罗斯均应有研究，但还未见产品报到。 目前，近万伏的高速宽脉冲源领域似乎还为电真空器件统治着，半导体固体器件难以进入。提 高电真空器件的开关速度，减小其触发晃动，再研制与其相配的高速高压电路是一个方向；研究大 功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组阵(即用多个电压电流较小的固体开关进行 串并联组合)电路是另一个方向；这些国外都已开展。 具有纳秒级开关速度的大功率电真空器件国内没有，国外的价格昂贵且难以买到。由于其供电 系统复杂且静态功耗大，使得整机的体积和重量很大。固体雪崩管开关速度快，但功率太小，难以 制作较宽的高压快脉冲源；且幅度难以调节，抗干扰性差，容易成串损坏。 MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导 通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗 脉冲电磁干扰能力较强。国外专利文献曾有报到，采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速 度。因此，开展MOS型功率场效应管纳秒高压宽脉冲源的研究是十分有意义的。 2 80S型场效应管开关速度的提高 提高开关速度的单管电路仿真及实验。现在选 用的漏源电压1000V的管子，是目前见到的开关上 升时间(3ns)最小的，通常是在小电流工作条件下 的值，脉冲大电流工作时其值可增至数十纳秒。可 见要实现纳秒高压脉冲的产生通常的工作方式是不 行的。国外专利文献曾有报道【11，采用过驱动能提图l 理想过驱动波形 图2脉冲源基本原理图 ‘作者简介g陈静，1958年，女，武汉市人，工程师，1983年毕业于曙光工学院无线电技术应用系．长期从事快电子 学专业． 234 基于场效应管的高压纳秒宽脉冲源技术研究 高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅 源驱动电压(见图1)。MOS型功率场效应管脉冲 源基本原理图如图2所示。 3多管串并联的4千伏快脉冲源 与雪崩管不同，大功率MOS型场效应管没 有在漏源电压超过额定值后发生雪崩击穿的特 性。要得到快前沿，必须对每个管子的栅源极间 实行电压脉冲过驱动。因此，多管串联的驱动不 能采用直接驱动，而只能采取脉冲变压器驱动的 方式。 3．1 100t2负载4kV脉冲源 采用多管串联电路来实现，如图3所示。其 仿真输出前沿波形如图4所示，下降时间约1．4ns。 图3 1000负载4KV源仿真原理图 对于4kV的幅度，其脉冲输出电流需要40A；从 单管实验结果看，使下降时间小于10ns是可能的。因此，主要的技术难点在于解决驱动脉冲变压器 的高频大电流(仿真驱动峰流达75A，半宽度只有约5ns，见图5)的传递和耐压问题。准备用峰流 更大的雪崩管作驱动管，适当大的高功率中等u值磁环初次级绝缘叠绕研制驱动变压器等措施解决 之。 OV r_L r、 、