第四章半导体的导电性浅析.pptVIP

10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 20 18 19 15 16 17 -3 14 -2 10 13 -1 3 2 1 0 + – V? V? 电离杂质散射示意图 v v 电离 施主 散射 电离 受主 散射 ＋ － 格波的波矢 q = 2?/?, 方向为格波的传播方向。 一个晶体中具有同样 q 的格波不止一个，其数目 取决于晶胞中的原子数。 晶胞中有一个原子，则对应于每个 q 有3个格波。 晶胞中有两个原子，则对应于每个 q 有6个格波。 —波的传输方向与原子的振动方向相同 横 纵 光学波 声学波 纵 横 长波 ?a q [110] 金刚石晶格振动沿 [110] 方向传播的 格波的频率与波矢 的关系 平衡时 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 波的传播方向 振动时 平衡时 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 振动方向→ ← 振动方向 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 疏 密 疏 波 振动 ● 纵声学波 ?→ ←? 膨胀状态-- 原子间距增大 压缩状态— 原子间距减小 纵声学波示意图 A B Ec Ev 导带 禁带 价带 Eg 纵声学波 → 原子疏密变化 → Eg 变化 → 附加势 → 形变势 纵声学波的散射几率Ps与温度的关系为： (3) 光学波的散射 ● 横波 ● 纵波 平衡时 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 振动方向 ←°?→ ←?°→ 振动方向 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?疏 ?密 ?疏 ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° °密 °疏 °密 － + － ° ● 纵波 离子晶体 + + + - + + + + - - + + + - - - + - - - - + - - - + + + - + + + + - - + + + + + + - + + + + - - + + + - - - + - - - - + - - - + - + - + 纵光学波 离子晶体 极化场 纵光学波的散射几率 Po: 格波散射几率 Pc 对原子晶体： 主要是纵声学波散射； 对离子晶体： 主要是纵光学波散射。 低温时，主要是电离杂质的散射； 高温时，主要是晶格散射。 §4.3 迁移率和电导率随温度和 杂质浓度的变化 一、迁移率与温度和杂质浓度的关系 1. 不同散射机构μ的表达式 ● 纵声学波： ● 纵光学波 ● 电离杂质的散射 2. 实际材料μ的表达式 ● GaAs ● Si、Ge 3. 影响μ的因素 (1) 温度的影响 ● 低温时，主要是电离杂质的散射，T↑，μ↑； ● 高温时，主要是晶格散射，T↑，μ↓。 T μ T3/2 T -3/2 迁移率随温度的变化关系 (2) 杂质浓度 Ni 的影响 Ni＜1017/cm3，μ与 Ni 无关； Ni＞1017/cm3，μ随 Ni 的增加而下降。 Ni μ 1017/cm3 μs 迁移率与杂质浓度的关系 (3) m* 的影响 mn*＜mp*，μn＞μp Ge：mn*=0.12mo Si: mn*=0.26mo μn(Ge)＞μn(Si) 二、半导体材料的电阻率与温度 和杂质浓度的关系 电阻率的一般公式： n 型半导体： 1. ρ与 ND 的关系(T 恒定) ND＜1017/cm3，no≈ND，μ≈μs ND＞1017/cm3， no=nD+≠ND，μ≠μs * * 第四章 半导体中的导电性 ● 载流子的漂移运动和迁移率 ●迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 ●载流子的散射 ●强电场效应 §4.1 载流子的漂移运动和迁移率 一、漂移运动和漂移速度 外加电压时，半导体内部的 载流子受到电场力的作用， 作定向运动形成电流。 漂移运动：载流子在电场力作用下的运动。 漂移速度：载流子定向漂移运动的速度。 二、欧姆定律 金属： —电子 半导体： —电子、空穴 微分形式 电流密度 J（A/m2): 通过垂直 于电流方向的单位面积的电流。 E 为电场强度 电流 I(A): 单位时间内通过垂直于电流方向的某一面积的电量。 三、电导率 ? 的表达式 设 ：Vdn和Vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。 以柱形 n 型半导体为例，分析半导体的电导现象 ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 Vdndt 在dt 时间内通过ds的截面电荷量