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二氧化硅薄膜的制备及应用 班级:08微电子一班 姓名:袁峰 学号:087305136 摘要: 二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广泛关注的功能材料。论述了有关二氧化硅薄膜的制备方法,相应性质及其应用前景。 二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。通过对各种制备方法、制备工艺的开发和不同组分配比对二氧化硅薄膜的影响研究,制备具有优良性能的透明二氧化硅薄膜的工作已经取得了很大进展。薄膜在诸多领域得到了很好的应用,如用于电子器件和集成器件、光学薄膜器件等相关器件中。利用纳米二氧化硅的多孔性质可应用于过滤薄膜、薄膜反应和相关的吸收剂以及分离技术、分子工程和生物工程等,从而在光催化、微电子和透明绝热等领域具有很好的发展前景。 1 二氧化硅薄膜的制备方法 化学气相淀积法 物理气相淀积 热氧化法 溶胶凝胶法 液相沉积法 1.1化学气相淀积（CVD） 化学气相淀积是利用化学反应的方式，在反应室内，将反应物（通常是气体）生成固态生成物，并淀积在硅片表面是的一种薄膜淀积技术。因为它涉及化学反应，所以又称CVD（Chemical Vapour Deposition）。 CVD法又分为常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)和光化学气相沉积等 1.1.1等离子体增强化学气相沉积法 利用辉光放电,在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体,这些离子在电场中被加速而获得能量,可在较低温度下实现SiO2薄膜的沉积。这种方法的特点是沉积温度可以降低,一般可从LPCVD中的700℃下降至200℃,且生长速率快,可准确控制沉积速率(约1nm樸s),生成的薄膜结构致密;缺点是真空度低,从而使薄膜中的杂质含量(Cl、O)较高,薄膜硬度低,沉积速率过快而导致薄膜内柱状晶严重,并存在空洞等。 1.1.2光化学气相沉积法 使用紫外汞灯(UV2Hg)作为辐射源,利用Hg敏化原理,在SiH4+N2O混合气体中进行光化学反应。SiH4和O2分2路进入反应室,在紫外光垂直照射下,反应方程式如下 3O 2 2O ·3 ( 195 nm ) O ·3 O ·+ O 2 (200～ 300 nm ) 总反应式为 SiH4+ 2O 2 SiO 2+ 气体副产物(通N 2 排出) 2.1物理气相沉积(PVD) 3.1 热氧化法 干氧氧化 湿氧氧化 水汽氧化。 3.2　溶胶凝胶法 溶胶凝胶法是一种低温合成材料的方法, 是材料研究领域的热点。早在19 世纪中期, Ebelman 和Graham 就发现了硅酸乙酯在酸性条件下水解可以得到“玻璃状透明的”SiO 2 材料, 并且从此在黏性的凝胶中可制备出纤维及光学透镜片。这种方法的制作费用低、镀膜简单、便于大面积采用、且光学性能好,适用于立体器件。过去10 年中, 人们在此方面已取得了较大进展。通常, 多孔SiO 2 薄膜的特性依赖溶胶2凝胶的制备条件、控制实验条件(如溶胶组分、pH 值、老化温度及时间、回流等) , 可获得折射率在1. 009～ 1. 440、连续可调、结构可控的SiO 2 纳米网络。但是SiO 2 减反射膜(即增透膜) 往往不具有疏水的性能, 受空气中潮气的影响, 使用寿命较短。经过改进, 以正硅酸乙酯(TEO S) 和二甲基二乙氧基硅烷(DDS) 2 种常见的物质为原料, 通过二者的共水解2缩聚反应向SiO 2 网络中引入疏水的有机基团——CH3, 由此增加膜层的疏水性能。同时, 通过对体系溶胶2凝胶过程的有效控制, 使膜层同时具有良好的增透性能及韧性。此外, 在制备多孔SiO 2 膜时添加聚乙二醇(PEG) 可加强溶胶颗粒之间的交联, 改善SiO 2 膜层的机械强度, 有利于提高抗激光损伤强度。 3.3　液相沉积法 在化学沉积法中, 使用溶液的湿化学法因需要能量较小, 对环境影响较小, 在如今环境和能源成为世人瞩目的问题之时备受欢迎, 被称为sof t2p rocess (柔性过程)。近年来在湿化学法中发展起一种液相沉积法(L PD) , SiO 2 薄膜是用L PD 法最早制备成功的氧化物薄膜。通常使用H2SiF6 的水溶液为反应液, 在溶液中溶入过饱和的SiO 2 (以SiO 2、硅胶或硅酸的形式) , 溶液中的反应为: H2SiF6+ 2H2O SiO 2+ 6HF。目前可在相当低