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半导体工艺原理 第五章 电极系统 本章内容提要 § 5.1 金属-半导体接触 一、金属和半导体的功函数 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，Wm越大，电子越不容易离开金属。 金属功函数约为几个电子伏特。铯的功函数最低(1.93eV), 铂的最高（5.36eV)。 1、金属的功函数Wm 2、半导体的功函数Ws 在半导体中，导带底 Ec 和价带顶 EV一般都比 E0 低几个电子伏特。 Note: 和金属不同的是，半导体的费米能级随杂质浓度变化，因而Ws也和杂质浓度有关。故常用亲合能表征半导体。 ① n型半导体： ② P型半导体： 金属/半导体接触 二、金属与半导体接触及接触电势差 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： 即半导体的费米能级(EF)s 高于金属的费米能级(EF)m 金属的传导电子的浓度 很高，1022～1023cm-3 半导体载流子的浓度比 较低，1010～1019cm-3 在接触开始时，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。 平衡时, 相对于(EF)m, 半导体的(EF)s下降为 接触电势差： Vm: 金属电势，Vs?: 半导体电势 紧密接触后，电荷的流动使得在半导体表面相当厚的一层形成正的空间电荷区。空间电荷区形成电场，其电场在界面处造成能带弯曲，使得半导体表面和内部存在电势差，即表面势Vs。 接触电势差分降在空间电荷区和金属与半导体表面之间。 半导体体内电场为零，在空间电荷区电场方向由内向外，半导体表面势Vs＜0，能带向上弯曲。 若D?原子间距, 电子可自由穿过间隙, Vms? 0, 则接触电势差大部分降落在空间电荷区。 考虑忽略间隙中的电势差时的极限情况时，有 半导体一边的势垒高度为： 当金属与n型半导体接触 （1）WmWs ? 半导体表面形成一个正的空间电荷区。 ? 电场方向由体内指向表面 (Vs0)。 半导体表面电子的能量高于体内的，能带向上弯曲，即形成表面势垒。 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。 界面处的势垒通常称为肖特基势垒。 ? 半导体表面形成一个负的空间电荷区。 ? 电场方向由表面指向体内(Vs0)。 ? 半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲。 在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多，因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层，即电子反阻挡层 －高导通区。 （2）Wm Ws 当金属与n型半导体接触 当金属与p型半导体接触 （1）WmWs ? 半导体表面形成负的空间电荷区。 电场方向由表面指向体内（Vs0）。 半导体能带向下弯曲，形成空穴的表面势垒。 在半导体的势垒区，空间电荷主要由负的电离受主形成，其多子空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成空穴阻挡层。 当金属与p型半导体接触 （2）WmWs ? 在半导体表面形成正的空间电荷区。 电场方向由体内指向表面（Vs0）。 半导体表面能带向上弯曲。 在空间电荷区中，空穴浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层，即空穴反阻挡层。 N型 P型 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 形成n型和p型阻挡层的条件 Note:反阻挡层是很薄的高电导层，对半导体和金属的接触电阻的影响是很小的，它在平常的实验中观测不到. 三、表面态对接触势垒的影响 表面态就是局域在表面附近的新电子态。它的存在导致表面 能级的产生。 表面能级：与表面态相对应的能级。 由于晶体的不完整性使得势场的周期性受到破坏，在禁带中产生附加能级。 问题的提出： 不同金属与同一半导体接触 金属功函数相差很大，而势垒高度相差很小 理论上 实际中 金属一边的势垒高度应随金属功函数而变化 Why ? 对于同一种半导体材料，亲合能 χ 将保持不变，如用不同的金属相连形成接触，根据公式 ： Au的功函数为4.8eV, Al的功函数是4.25eV, 相差0.55eV。但在Au、Al和n-GaAs接触时，势垒高度相差0.15eV。显然，0.55eV＞0.15eV！ 实验表明，金属-半导体接触时的势垒高度受金属功函数的影响很小。这是由于半导体表面存在表面态造成的。 表面态一般分施主型和受主型： 一般表面态在表面禁带中有一定的分布，表面处存在距离价带顶为q?0 的能级。对多数半导体， q?0约为禁带宽度的1/3。 ? 电子填满q?0 以下所有表面态时，表面电中性。 ? q?0 以下的表面态空着时，表面带正电，呈现施主型。 ? q?0 以上的表面态被电子填充时，表面带负电，呈现受主型。 假定在一个n型半导体的表面存在表面态。半导体的费米能级EF 高于表面能级q?0 ，如果q?0 以上存在受主表面态，则在q?0和EF 之间的能级基