第4章_4.5_集成电路_生产过程终稿.ppt

pad lead pad lead Calculated Wire Length WIRE CLAMP ‘CLOSE’ pad lead Calculated Wire Length pad lead SEARCH DELAY pad lead TRAJECTORY 焊线 (Wire Bond) 目的：将晶粒上的接点用金线或者铝线铜线连接到导线架上之内引脚，从而将IC晶粒之电路讯号传输到外界。 焊线时，以晶粒上之接点为第一焊点，内引脚上之接点为第二焊点。先将金线之端点烧成小球，再将小球压焊在第一焊点上。接着依设计好之路径拉金线，将金线压焊在第二点上完成一条金线之焊线动作。 Wire Bonding 引线焊接 利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 Key Words： Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点； EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形； Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）； W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、温度（Temperature）； FOL– Wire Bonding 引线焊接 陶瓷的Capillary 内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge； FOL– Wire Bonding 引线焊接 EFO打火杆在磁嘴前烧球 Cap下降到芯片的Pad上，加Force和Power形成第一焊点 Cap牵引金线上升 Cap运动轨迹形成良好的Wire Loop Cap下降到Lead Frame形成焊接 Cap侧向划开，将金线切断，形成鱼尾 Cap上提，完成一次动作 FOL– Wire Bonding 引线焊接 Wire Bond的质量控制： Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力） Wire Loop（金线弧高） Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试） Size Thickness FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品 資料來源：KS 網站 Wire Bound pad Lead（芯片上引线封装 ） Free air ball is captured in the chamfer pad lead Free air ball is captured in the chamfer SEARCH HEIGHT pad lead Free air ball is captured in the chamfer SEARCH SPEED1 SEARCH TOL 1 Free air ball is captured in the chamfer pad lead SEARCH SPEED1 SEARCH TOL 1 Free air ball is captured in the chamfer pad lead SEARCH TOL 1 SEARCH SPEED1 Free air ball is captured in the chamfer pad lead SEARCH TOL 1 SEARCH SPEED1 Free air ball is captured in the chamfer pad lead SEARCH TOL 1 SEARCH SPEED1 Formation of a first bond pad lead SEARCH SPEED1 SEARCH TOL 1 Formation of a first bond pad lead SEARCH SPEED1 SEARCH TOL 1 IMPACT FORCE F