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半导体的特点 半导体的优点（与电子真空管相比） 1、体积小，重量轻； 2、耗电省； 3、成本低。 1、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 2、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 2、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 N P + _ 内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 R E 3、结论： PN结具有单向导电特性 §15.3 半导体二极管 一、基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 P N 二极管实际结构 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0. 5V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) P N I U 三、主要参数 A.最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 B. 反向击穿电压U(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般是U(BR)的一半。 C. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 四、二极管电路的分析方法 A. 对直流信号，用图解法作出工作点 R E U I uD iD I U B.大交流信号: iD 相当电子开关 二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、钳位等。 整流、削波作用： R ui uo ui t E ui uo R ui t 2E E 通 通 钳位作用： F A B R -12V A B R 12V F 例：二极管的应用： R RL ui uR uo t t t ui uR uo （1）微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 下面介绍两个交流参数（又称动态参数）。 RD= UD / ID iD uD ID UD Q PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd （2）二极管的极间电容 万用表测试二极管 §15.4 稳压二极管 一、工作区域 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - 三、稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 二、工作特点： （1）在反向击穿区处于稳压状态； （2）工作在其它区域与一般二极管相同。 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmian。 （5）最大允许功耗 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 其它特殊二极管： 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 §15.5 半导体三极管 一、基本结构 N N P 基极 B E C 发射极 集电极 NPN型 PNP型 基极 B E C P P N 发射极 集电极 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，1um以下，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较