室温下ⅡⅥ族纳米晶体在Si衬底上的化学自组装.pdfVIP

132 物理爰萁应用 室温下II—Vl族纳米晶体在Si衬底上的 化学自组装半 徐岭赵伟明 郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏黄信凡陈坤基 (南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系 江苏·南京210093) 摘要本文应用胶体化学的方法，在溶液中合成了II—VI族—cdSe，CdTe纳米晶粒，紫外一可见光吸收 谱(ABS)和光荧光谱(PL)显示Ⅱ—vI族纳米晶粒良好的单分散性；在室温下利用双功能分子在si衬底表 面组装了Ⅱ_vI族纳米晶粒。原子力显徽镜和接触角实验证实，II“I族纳米晶粒已经通过共价键合作用自组装 到了si衬底表面。 关键词半导体纳米晶体自组装双功能分子 1引言 近年来，胶体化学技术制备的纳米晶粒在固体表面的自组装引起了人们广泛的注意。 自 组装纳米晶粒阵列在催化剂、传感器、非线性光学器件、磁性材料和纳米电子元件等方面有着 广泛的应用前景。在化学上实现自组装的方法多种多样，有缓慢自然蒸发的方法、利用双功能 膜(SAMs)，具有高度的有序性，双功能分子能和衬底及纳米晶粒形成共价键，从而将纳米晶 粒牢固的自组装在固体表面，这提供了一条从溶液中将胶体纳米晶粒组装到固体表面的途径， 组装CdS以来，单层或多层的CdSe、CdTe等半导体纳米晶粒通过SAMs成功的被组装在金属 表面“。 另一方面在当代规模巨大的半导体产业中，硅已成为大规模和超大规模集成电路的基石， 在硅上组装纳米晶粒可以与VLSI平面工艺相兼容，因此具有尤为重要的意义；但以前化学组 装91的工作大部分不是在室温下进行的，与si平面工艺不能很好兼容。 在本文中，我们采用化学法合成了II—VI族—cdSe，CdTe纳米晶粒，通过紫外一可见光吸收谱 (ABS)和荧光光谱(PL)研究了纳米晶粒的光学性质；窒温下利用双功能分子将Ⅱ一vI族纳 米晶粒自组装到si衬底表面：其中利用双功能分子3一琉基丙基三甲氧基硅烷(MPS)在经过 氧化(表面羟基化)的si衬底表面组装了CdSe纳米晶粒；利用双功能分子poly (diallyldimethylammonium AFM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了组装前后衬底表面的形貌。 显微镜(tapping 室温下¨一Ⅳ族纳米晶体在Sl衬底上的化学自组装 -133· 2实验 2．1 CdSe纳米晶粒以及CdSe层状结构的制备 CdSe纳米晶粒是在室温下，用反相胶柬溶液法制备的…。方法如下：首先，将表面活性剂 AOT(sodium dioctyl 份，分别滴人一定景的CdCl：和Na2SeSO，水溶液，同时[水】，[表面活性剂】的摩尔比保持8不变； 然后，在磁力搅拌下将含cd2+的胶束溶液用滴管缓慢滴入含SeS032-的胶束溶液中，30分钟后形 成黄色透明液体，表明已经生成了CdSe纳米晶粒。为了得到更好的单分散性，我们进一步对 CdSe纳米晶粒进行了离心处理(10000RPM，60min)。制备好的CdSe纳米晶粒反相胶束溶液 封口保存以备后用。 温下浸入10-5M的MPS的甲苯稀溶液中6小时，MPS的甲氧基硅烷端可以与氧化后的Si衬底 中的羟基形成共价键，从而在SiO，／Si表面形成单层自组装的MPS分子膜。MPS分子膜形成后． 纳米晶粒表面的ccr≯晰键合，使CdSe组装在衬底表面。最后将样品从CdSe溶液中取出分别 用正庚烷和丙酮漂洗，以去除表面吸附的有机溶剂和CdSe纳米晶粒，用Nz吹干并保存在干燥 器中。 围1两层C4Jlo-子点／PDDA层状结构样品的制鲁示意图一空心 田2 CdTe纳米晶粒的蘩外一可见 球为带正电的PDBA，熏球为带最电构CdTe胶体颗粒 光吸收谱和pL谱 2．2 CdTe纳米晶粒及层状结构的制备 成了不同尺寸大小的，巯基包裹的CdTe纳米晶粒(合成方法见文献报道”)，反应时在溶液中 加入thioglyeolic 可以在空气中保存几个月甚至几年”1。通过上述的方法。我们制备了两种CdTe纳米晶粒，直径 分别为2．3nm和4．0nm。 类似的，我们也可以利用自组装PDDA单层分子膜来制备CdTe层状结构，我们在制作 CdTe层状结构的过程中利用了异种电荷之间的静电相互吸引作用8(图